基于吸收机的运用提出了一种稠浊式高动态范围AGC算法。该算法由射频前馈与中频反馈算法组成,借助现场可编程门阵列得以实现。在该算法的掌握下,以射频开关、数控衰减器、检波器、可变增益放大器为核心器件,实现了一种输入动态范围110 dB、灵敏度-100 dBm、输出功率为-19 dBm的自动增益掌握环路。
中文引用格式:赵潇腾,尹兵舰,张锦涛,等. 一种稠浊式高动态范围AGC算法与FPGA实现[J].电子技能运用,2017,43(12):76-80.

英文引用格式:Zhao Xiaoteng,Yin Junjian,Zhang Jintao,et al. A hybrid AGC algorithm for high dynamic range and implementation on FPGA[J].Application of Electronic Technique,2017,43(12):76-80.

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0 弁言
由于多径衰落等成分,吸收机天线真个旗子暗记功率可能具有超过60 dB的颠簸[1]。而中频ADC具有的固定动态范围难以精确采样这样的大动态旗子暗记,为使基带能够精确解调、解码,吸收机须要根据输入旗子暗记的强度自动调度其增益,从而为后级供应相对恒定的输出。这种功能正是由自动增益掌握(Automatic Gain Control,AGC)环路实现的。
常用的AGC环路分为3种:前馈式AGC、反馈式AGC与稠浊式AGC[2-4]。前馈式AGC表现为开环掌握,输入旗子暗记功率被检测后经处理用作增益的调度;反馈式AGC则是闭环掌握,输出功率与一个参考值为难刁难比后得到功率偏差,该偏差经由运算后掌握增益的大小。文献[3]的研究表明,前馈式的AGC具有更快的相应速率,且其算法较为大略,占用资源较少,因此得到了广泛的运用。然而正由于其灵敏的相应特性,前馈式AGC随意马虎因电路参数的颠簸而产生误调。反馈式AGC则可以实现较为稳定的掌握,但因其呈闭环构造,环路参数须要仔细确认,为设计带来一定的寻衅。稠浊式AGC则是前馈与反馈式的结合,兼具两者的特性。
1 稠浊式AGC环路
用于吸收机中的稠浊式AGC环路由射频前馈式AGC电路与中频反馈式AGC电路组成。如图1所示,天线吸收到的旗子暗记经由一定的耦合系数馈入射频检波器,检波器的输出电压由ADC转换为数字量,再由FPGA处理后掌握旗子暗记通路上的单刀双掷开关与数控衰减器,从而掌握射频部分的增益。个中,低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)具有22 dB增益,衰减网络具有-10 dB增益。射频旗子暗记与本地振荡器下混频得到中频输入旗子暗记IFIN,IFIN经由两级相同的可变增益放大器(Variable Gain Amplifier,VGA)放大后,通过耦合器向中频检波器馈入适当的电平,检波器的输出电压VIFDET由ADC转换为数字量,再由FPGA进行数据处理,处理结果决定DAC的输出电压,从而掌握VGA的增益。个中IFOUT表示中频输出旗子暗记,VG为VGA的掌握电压。
2 AGC算法
在先容AGC算法前,首先解释环路的设计指标。如弁言中所述,所设计的AGC算法须要知足两种不同输入旗子暗记的需求。对付恒包络旗子暗记,须要AGC单次掌握韶光小于50 μs,输入动态范围不小于-95 dBm~5 dBm,输出功率为-19 dBm;对付非恒包络旗子暗记,须要输出旗子暗记包络不失落真。
根据AGC环路指标,设计了图2所示的总体算法,把稳到输入旗子暗记的包络特性在本系统中可由外部获悉。环路启动时首先判断输入旗子暗记是否为恒包络旗子暗记,若是,则实行快速AGC算法,否则实行慢速AGC算法,顺序均为先射频后中频。中频AGC算法实行完毕后经由一定韶光间隔再次返回射频AGC,如此循环。
射频前馈式AGC算法如图3,首先配置ADC的射频通道采样,根据输入旗子暗记的包络特性,确定采样次数。根据耦合器与射频检波器的特性(式(1)),将均值电平转化为对应的输入功率。对付检测到的输入功率实行条件判断,从而确定LNA与数控衰减器的应配状态。若本次确定的状态与目前的电路状态同等,则跳过配置阶段结束射频AGC,否则按照所确定的状态配置电路后结束。
射频AGC算法的仿真结果如图4所示,当射频输入功率从-95 dBm变革至5 dBm时,射频输出功率变革范围为[-73 dBm,-8.2 dBm],将输入旗子暗记的颠簸范围由100 dB降为64.8 dB。
在射频调度的根本上,中频反馈式 AGC进行增益的连续精密调控,其算法如图5所示,首先为VGA的掌握电压VGint赋初始值,接着根据输入旗子暗记的包络特性确定中频通道采样次数并求均值VIFDET,在非恒包络输入下,两次采样间具有T1秒的韶光间隔。中频AGC环路中VGA的增益Gain与掌握电压VG在正常事情状态下符合式(2)所示的线性关系,个中增益的单位为dB,掌握电压的单位为V。
根据所利用的VGA器件特性,式(2)中k取50,b取-5。中频检波器输出电压VIFDET与中频输出功率PIFOUT在正常事情区域符合式(3)的线性关系,个中电压的单位为V,被检测功率的单位为dBm。根据检波器与耦合器特性可以得:
式(3)中k1取0.05,b1取2.575。
在中频AGC环路中,若用PIFIN表示中频输入功率,PIFOUT表示中频输出功率,则所设计的环路目标为:当PMIN<PIFIN<PMAX时,PIFOUT保持在目标功率PAIM。假设某一时候的输出功率为PNOW,VGA掌握电压为VG1,中频检波器的输出电压为VIFDET,经由一次调度后,应使VGA掌握电压变为VG2,输出功率达到PAIM,根据式(2)、式(3)及掌握目标可以得到式(4)的掌握算法,个中NSTAGE表示VGA的级数,在本文中取2,PAIM取-19 dBm。
基于掌握目标及式(4)所示的关系给出了图5中的判断条件与掌握电压VG的打算公式,个中VGint为VGA目前的掌握电压,Max表示取最大值运算,Min表示取最小值运算。由于检波器仅在一定范围内符合式(3)的关系,因此须要确定一个可置信的检波电压区间:[0.375 V,2.75 V]。在此区间内,认为检波电压VIFDET代表了真实的输出功率,此时按照式(4)所述的方法进行AGC掌握;当VIFDET<0.375 V时,认为输出功率较小,需先增大VGA的掌握电压以提高增益,使VIFDET于可置信区间,然后重新进行判断;VIFDET>2.75 V时,需先减小VGA的掌握电压以降落增益,再重新判断。
中频AGC算法仿真结果如图6所示。个中横坐标为AGC实行次数。中频输入旗子暗记的功率范围为-100 dBm~-10 dBm。当输入旗子暗记功率处于[-79.04,-9.3]dBm时,VGA掌握电压VG能够随着输入功率的变革而改变,输出功率保持在-19 dBm,VIFDET与PIFOUT同步变革,实现了环路的功率掌握目标。
3 算法的实现与测试
根据第2节所述,在Xilinx Spartan 3E系列FGPA上实现了稠浊式AGC算法。算法掌握的紧张器件包括ADC、射频开关、数控衰减器与DAC。个中,射频与中频部分共用一片10 bit、4通道的模数转换器ADS7954;单刀双掷开关的状态由FPGA输出的单比特高低电平掌握;数控衰减器为6 bit、0.5 dB步进的RFSA2644芯片。中频VGA的掌握电压由12 bit DAC供应。ADC通道的切换及采样、数控衰减器的衰减值、DAC的输出电压均由FPGA通过串行外设接口(Serial Peripheral Interface,SPI)总线掌握。为了方便数字部分的处理,所提出算法中的采样次数N1、N2、N3、N4均取2的整数次幂。
在不同输入勉励条件下Modelsim的功能仿真结果如图7所示。当输入为恒包络旗子暗记时(图7(a)),首先配置ADC射频通道,进行4次射频通道采样,经由打算后配置了数控衰减器。由于输入功率较高,LNA始终保持关断,随后预置了VGA增益。接着配置ADC切换至中频通道,进行连续的16次采样,末了配置DAC输出适当的VGA掌握电压。恒包络输入旗子暗记下单次AGC过程耗时41.73 μs。
当输入为非恒包络旗子暗记时(图7(b)),射频AGC采样变为64次,中频AGC仍旧采样16次,但在采样间加入了6.68 μs韶光间隔,总的掌握韶光为230.53 μs。利用示波器丈量的时域输入输出波形如图8所示,个中通道1为输入正弦包络旗子暗记,包络周期为128 μs,通道2为中频输出旗子暗记,可以不雅观察到输出旗子暗记包络保持无缺,均匀功率恒定。
输入为恒包络旗子暗记条件下,稠浊式AGC环路中关键参数随射频输入功率变革的曲线如图9所示。图9(a)中按照式(1)拟合的曲线与实测曲线吻合良好;图9(b)中VGA掌握电压呈现三次跳变,与射频AGC算法中的所设计的4种条件判断符合;图9(c)、图9(d)表明所设计的AGC系统在输入旗子暗记功率为-100 dBm~10 dBm时,输出可恒定地掌握在-19 dBm,具有110 dB的动态范围。近年来所提出AGC系统的动态范围比拟如图10[5-16]所示,比拟表明本文所实现的动态范围具有一定的领先性。
4 结论
本文针对输入旗子暗记的不同的包络特性,结合前馈式与反馈式AGC的特点,依据吸收机中的硬件架构,提出了一种稠浊式高动态范围AGC算法,并在FPGA硬件平台上得以实现。在该算法的掌握下,以射频开关、数控衰减器、检波器、可变增益放大器为核心器件,实现了一种输入动态范围110 dB、灵敏度-100 dBm、输出功率为-19 dBm的自动增益掌握环路。在恒包络与非恒包络输入下,算法实行韶光分别为41.73 μs与230.53 μs,旗子暗记包络保持无缺。比拟表明,所提出的AGC算法实现了优秀的动态范围特性。
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作者信息:
赵潇腾1,2,尹兵舰1,张锦涛1,2,李仲茂1,冷永清1
(1.中国科学院微电子研究所,北京100029;2.中国科学院大学,北京100049)






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