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这种拓扑带来效率提升的同时, 也带来了一些新的问题:
1. 由于PFC的主体都在高频电感之后, 相对付大地(Earth)的电位是高速变革的, 会产生更高的EMI问题, 通过采取双对称绕组电感和增加一些高频回路可以减轻这个问题
2. 由于采取了双对称绕组电感, PFC主体和AC线路没有直接的联系, 因此对付掌握电路来说, 检测互换线路的有效电压值和瞬时电压值都变得极为困难, 由于有两个mos管, 电流的回路也变得比较繁芜, 无论用互感器或者电阻都不能大略的得到一个精确的包含电感高频电流成品的旗子暗记. 这使得传统CCM掌握芯片不能发挥用武之地.
做产品须要考虑效率, 稳定性, 本钱, EMC(电磁兼容) 平分歧成分, 有的时候必须在这之间进行取舍.
这里有5种无桥PFC, 分别是:
S1和S2如果采取mos, mos的体二极管规复较慢(常日数百ns)会产生较大的电流倒灌脉冲, 引起很大的损耗, 足以抵消无桥低损耗的上风。
S1和S2如果采取IGBT, 虽然其体二极管的性能没问题, 但是其导通压降比较大, 也会产生很高的损耗, 尤其是在低电压输入的情形下。
现在有一些国外公司在研制GaN和SiC高性能开关管, 开关速率极快, 没有体二极管反向规复问题, 这些技能尚在研发中, 现在是在市场上见不到这些产品的. 如果未来这些高性能器件能大规模遍及, 图腾柱PFC将有机会成为最盛行最高效的PFC拓扑。
