台积电申请发明集成电路及其形成方法有效功函数授予 NMOS 晶体管_栅极_晶体管

专利择要显示，集成电路包括 NMOS 全环栅（GAA）晶体管和 PMOS GAA 晶体管。
单个栅极金属用于两个晶体管。
通过包括沟道区域周围的栅极金属的第一层、栅极金属的第一层周围的半导体层以及半导体层上的栅极金属的栅极添补层，将有效功函数授予 NMOS 晶体管。
在 PMOS 晶体管中，栅极金属的栅极添补层位于栅极电介质上，而没有介于中间的半导体层。

本文源自金融界