在零中频架构中，由于主频旗子暗记的频率与LO相同，以是有可能会泄露并造成滋扰，而全体发射路径中，最可能的泄露来源为PA输出端与天线端，由于PA输出真个能量最强，因此会以传导办法滋扰，而天线端则是会直接以辐射办法滋扰，使调变精确度低落，导致相位偏差，频率偏差，以及EVM都会有所劣化。
由于PA的输入功率范围一向很广，以RFMD的RF3225为例，其输入功率范围为0dBm~6dBm，这表示收发器的输出功率，即便扣掉Mismatch Loss与Insertion Loss，仍符合PA的输入功率范围，因此一样平常而言，较少调校此处的匹配。然而PA的输入端，实在也是 DA(Driver Amplifier)的Load-pull，因此这部分的匹配若没调校好，会使DA的线性度不足，导致在PA输入端，发射性能已经不好，再加上PA是紧张的非线性贡献者，如此便会导致PA输出真个发射性能更差。
除此之外，这部分的匹配若没调校好，会因反射而滋扰VCO，导致调变精确度低落，如下图:
而PA输入真个匹配电路，其摆放位置需依平台而定，例如若为MTK的MT6252，则需靠近收发器，但若为高通的WTR1605L，则需靠近PA。
像WCDMA这种会用到振幅调变的旗子暗记，只能用线性PA作放大，亦即在升频过程中，是采取所谓的I/Q Modulation，如下图:
I/Q Modulation是直接将数字旗子暗记的I/Q旗子暗记，直接升频成RF旗子暗记，因此随意马虎在混波过程中，产生带外噪声，若带外噪声被PA放大，进而增加LNA的Noise Floor，会导致灵敏度变差。换句话说，WCDMA吸收真个灵敏度，除了会因Tx Leakage而劣化，也会因被PA放大的带外噪声而变差。
除此之外，由于GPS吸收的是-150dBm以下，极微弱的旗子暗记，因此当WCDMA与GPS功能同时开启时，被PA放大的带外噪声，有可能会影响到GPS:
因此常日多数会在PA输入端，添加SAW Filter。但在本钱与空间的考虑下，越来越方向将SAW Filter拿掉，若收发器内部设计得宜，即便无SAW Filter，其灵敏度也不会太差。
因此在一些电路设计上，会看到以0奥姆电阻作切换的设计，例如高通的WTR1605L，在WCDMA的发射端部分，其SAW Filter会再额外多接一个传输路径，当R2615不放组件时，其发射旗子暗记会经由U2603这颗SAW Filter，当R2615放0奥姆时，其发射旗子暗记并不会经由U2603这颗SAW Filter，而是直接通过R2615传输过去。
然而有时会碰着的问题是，当R2615放0欧姆时，其相位偏差与EVM会变差，此时可能有人会认为是SAW Filter的关系，但这是个误解，由于相位偏差与EVM，都是带内噪声，而SAW Filter是用来抑制带外噪声，换言之，SAW Filter无法改进相位偏差与EVM，相反地，若SAW Filter的Group Delay过大，会导致旗子暗记有所失落真，进而劣化EVM。
因此合理的阐明，便是VCO Pulling，当R2615不放组件时，其发射旗子暗记会经由U2603这颗 SAW Filter，此时收发器看出去的S11很好，不会有旗子暗记反射。
但是当R2615放0欧姆时，其发射旗子暗记会直接经由R2615，由于Layout走线关系，导致收发器看出去的S11不好，旗子暗记反射打到VCO，使得调变精确度低落，其相位偏差与EVM变差。故此时应针对PA输入真个Matching再作微调，以减少反射。
当PA输入真个Matching调校为较收敛的状况时，其EVM也随着改进。
然而相较于PA输入端，由于PA输出真个能量更强，因此更可能会危害到VCO，因此更需特殊把稳。有可能通过其他临近的走线，借由耦合的办法，产生VCO Pulling。
常见的例子是，在调试过程中，创造相位偏差过大，但吸收真个Matching拿掉，也便是将吸收路径断开后，其相位偏差便改进，此时可能有人会认为是吸收端Matching的关系，但这是个误解。
由于吸收真个Matching，是为了减少吸收旗子暗记的Mismatch Loss，使其灵敏度变好，并不会影响发射真个相位偏差。或是有人疑惑吸收旗子暗记滋扰发射旗子暗记，因此将吸收路径断开后，便无滋扰来源，导致相位偏差改进。这也是个误解，由于GSM是TDD机制，发射与吸收不会同时事情，因此当旗子暗记从发射端发射时，吸收端并无旗子暗记。即便是WCDMA这种FDD机制，亦即发射与吸收会同时事情，但由于吸收旗子暗记远小于发射旗子暗记，其强度不敷以滋扰发射旗子暗记，反倒是发射旗子暗记随意马虎滋扰吸收旗子暗记。
因此合理的阐明是因PA输出旗子暗记，耦合到吸收路径，流入收发器，进而打到发射端VCO，产生VCO Pulling。
或是打到吸收端VCO，再耦合到发射端VCO，产生VCO Pulling。
旗子暗记滋扰的机制，会有三要素，吸收路径在这案例中，扮演Path的角色，因此拿掉吸收真个Matching，等同于将Path断开，肃清VCO Pulling，进而改进相位偏差。当然，若吸收端有添加SAW Filter，可以将发射真个旗子暗记挡下来，因此原则上，吸收端有添加SAW Filter，可以避免该情形发生。但要把稳其 SAW Filter的摆放位置，必须离收发器越近愈好，确保发射旗子暗记在进入收发器前，能被SAW Filter挡下来。
否则若离收发器过远，则发射旗子暗记就有机会通过吸收路径，窜入收发器，产生VCO Pulling。
但有些收发器的吸收端，是属于SAW-less设计，例如高通的RTR6285A，其GSM部分的吸收路径，并无摆放SAW Filter，故此时吸收真个Matching，其任务除了改进吸收旗子暗记的 Mismatch Loss，同时也卖力抑制带外噪声，即抵挡发射旗子暗记。
当然，如前述的吸收端SAW Filter一样，该吸收端Matching，一样需离收发器越近愈好，确保发射旗子暗记在进入收发器前，能被挡下来，否则若离收发器过远，一样会产生VCO Pulling。
除了临近走线外，其发射旗子暗记也可能会通过Shielding Cover，产生VCO Pulling，若 Shielding Cover与Shielding Frame打仗不是很紧密，即接地不是很好，则耦合到 Shielding Cover上的发射旗子暗记，并不会通通流到 GND，而是会通过反射，窜入收发器，导致VCO Pulling。
此时应加强Shielding Cover与Shielding Frame的打仗，使其耦合到Shielding Cover上的发射旗子暗记，通通流到 GND。
以及加强Shielding Cover与Housing金属的打仗。
当然在Layout时，其Shielding Frame上的GND Via要尽可能多打，以便加强GND。
也正是由于有VCO Pulling的问题，以是不论是高通，或是MTK，都会建议收发器与PA要分别放在两个独立的屏蔽框里，也是为了避免VCO Pulling。
而吸收真个SAW Filter以及Matching，除了如前述离收发器越近越好，也要放在收发器的屏蔽框里。
其余，在收发器到ASM的长度不变情形下，尽可能缩短PA到ASM的间隔，紧张是为了 Insertion Loss与VCO Pulling的考虑。
由前述可知，由于PA的输入功率范围一向很广，以RFMD的RF3225为例，其输入功率范围为 0dBm ~ 6dBm，这表示收发器的输出功率，即便扣掉Mismatch Loss与Insertion Loss，仍符合PA的输入功率范围，因此即便PA输入端走线长一点，Insertion Loss大一点，对付PA的线性度与最大饱和功率，并无太大差异，校正时自然会补偿回来。
但PA输出真个Insertion Loss，是无法补偿回来的，若由于走线过长，Insertion Loss多1dB，那么最大饱和功率，便是硬生生被扣掉 1dBm。一样平常GSM Low Band的最大输出功率为32.5 dBm，若其最大饱和功率只有33 dBm，表示只Back-off了0.5 dBm，PA线性度不佳，其发射性能可能会劣化。若最大饱和功率只有32dBm，连最大输出功率32.5dBm都达不到，那这只能改 Layout，无其他解法。
再者，若PA输出端走线越长，则PA输出旗子暗记耦合莅临近走线的机会就愈高，即VCO Pulling的风险就越高。虽然PA输入真个走线越长，一样会提高 VCO Pulling的风险，但由于PA输入旗子暗记的强度，远小于PA输出旗子暗记的强度，以杀伤力来讲，当然是PA输出旗子暗记较大。原则上最空想情形是PA输入端走线，及PA输出端走线都尽可能短，但若因空间限定，使得placement时，收发器到ASM的间隔便是这么长，在两害相权取一轻的情形下，当然是先缩短PA输出走线的长度。
其余，有一种情形是，作传导测试时，其相位偏差都正常，但作无线测试时，天线一装上去，其相位偏差就变大，部分缘故原由也是来自于VCO Pulling。当Shielding Cover与 Shielding Frame的打仗不足紧密时，即屏蔽效果不好，则由天线发出的无线发射旗子暗记，会泄露到收发器的屏蔽框内，造成VCO Pulling。
任何金属，若GND不完备，等同于辐射体，因此Shielding Cover与Shielding Frame的打仗不足紧密时，亦即GND不完备，这时全体Shielding Can 会宛如一个共振腔构造，把残留在 Shielding Cover的Wireless旗子暗记，辐射出去，打到 VCO。
此时可以做实验，把Shielding Cover拿掉，去做Wireless的测试。若相位偏差变好，就表示是第二种情形，由于Shielding Cover拿掉，等同于毁坏共振腔构造。反之， 若变更差，那便是第一种情形，由于完备没遮蔽效果。而不管是第一种或第二种，办理之道都是加强shielding Cover的GND，亦即如前述，加强Shielding Cover与Shielding Frame的打仗，以及加强 Shielding Cover与Housing金属的打仗。如果是第一种，这样可以加强遮蔽效果。如果是第二种，这样可以把残留在Shielding Cover的Wireless旗子暗记，都流到 GND，减少其共振腔的辐射强度。
