Micro LED量产几道坎芯片难关居首位_技巧_家当

Micro LED运用将分四个阶段推进

Micro LED被认为是“终极显示”办理方案，运用前景及其可创造的代价极具吸引力，商显、高端TV、车载与可穿着设备等运用新契机持续实现发达发展，干系高下游家当正在重塑显示生态圈。

成都辰显光电有限公司总经理黄秀颀认为，玻璃基Micro LED显示具有精良的性能和多变的功能，有望在商显、高端TV、车载和可穿着等领域得到广泛运用，市场潜力巨大。
其新增设备、材料将成为家当发展主要机遇，并有望重塑显示家当生态圈。
Micro LED可以实现大尺寸自由拼接显示运用，模块化封装和侧壁走线等技能使得自由拼接成为可能。
Micro LED也可以实现交互器件集成运用，未来的屏幕有望变成一个平台，可通过传感器实现交互等各种功能，打破“显示”观点。
器件层面的改造能够带来功能层面的革命，3D显示、3D交互，再叠加5G、大数据等新兴技能，未来全息显示这一发展方向无疑令人激动。
玻璃基Micro LED可覆盖大中小尺寸产品运用领域，市场规模估量从2024年起高速增长，有望构建新的高下游家当生态链。

Micro LED大型显示器历经多年研发后，今年正式迈上量产里程碑，成为干系零组件、设备与制程发展中丰沛的推进动能。
更多厂商的加入与持续眇小化的发展趋势，匆匆使Micro LED家当不断实现新的技能打破，市场规模也不断扩大。

三安光电株式会社副总经理徐宸科在谈及Micro LED显示大屏市场及技能趋势时表示，该市场具有持续增量。
从LED直显显示技能来看，随着运用领域的增加，全体显示家当在向更小间距方向发展，转移速率会更快且更有效率。
作为Micro LED微间距显示技能之一，fine pitch技能是连接背板与芯片的桥梁，未来将成为显示大屏领域的主流技能。
fine pitch产品在生产制造过程中同样具备上风。
fine pitch产品在打件部分须要的韶光更短，维修更加随意马虎，可以在玻璃基和PCB上利用，还有助于扩展更小的点间距。
产品上风方面，由于fine pitch利用前辈的Micro LED芯片，再叠加巨量转移技能和前辈封装技能，因此与Mini LED比较具备更高的比拟度和超广可视角。
总体而言，他认为fine pitch技能是目前最好的办理方案，可以加速Micro LED在大屏领域的商业化进程。

除大型显示器之外，Micro LED具备可搭配柔性、可穿透背板的精良特性，有望在车用显示与穿着显示中崭露锋芒，首创出一条与当前显示技能分歧凡响的运用新商机。
而更多厂商的加入与持续眇小化的发展趋势，将是匆匆使芯片本钱持续低落的关键。

利亚德集团副总裁兼首席技能官卢长军认为，Micro LED的运用分为几个阶段，个中第一阶段和第二阶段着重于商业运用领域，分别是更高分辨率的大尺寸商业显示和更小空间（会议室）的商业运用。
第三阶段是在AR/VR、车载等须要更高分辨率和可靠性的领域。
第四阶段则是在本钱敏感度更高的手机、平板等消费电子领域。
估量Micro LED终极将向无衬底方向发展，芯片尺寸还将进一步缩小。
从技能上讲，未来大尺寸Micro LED显示将不再追求间距的缩小，毕竟p0.4旁边的间距已能够知足大部分拼接屏的运用哀求。
而极致的画质、可靠性和稳定性将成为Micro LED发展的最大追求。
比如，精良的低灰表现、AM（有源矩阵）的无闪烁、更宽的色域及饱和度可能将成为利亚德的技能发展方向。
从产品和运用端而言，Micro LED运用将不再拘泥于传统拼接墙，利亚德将针对不同需求开拓多样化的产品，使技能真正做事于产品和运用。

Micro LED量产尚需迈过几道坎

未来的显示该当能够解放双手，将多种功能集中到屏上，实现交互。
这就哀求显示必须具备高比拟度、高PPI、高亮度，乃至是扩展现实。
当前，Micro LED能够知足未来显示家当的发展需求，但家当化进程仍有待提速。

康佳集团技能研发中央总经理林伟瀚表示，总体而言，Micro LED的家当化首先要实现芯片量产、性能持续优化；其次，巨量转移须要结合修复才能实现产品的批量生产；再次，在驱动微电流条件下，Micro LED的生产效率还须要进一步提高；末了，家当生态仍在培植中，硬件本钱需持续低落。

随着Micro LED大尺寸显示器正式开启量产，巨量转移办法逐步由现行的拾取办法迈向速率更快、利用率更高的激光雷射转移办法，同步优化了Micro LED的制程本钱。
只管如此，当前Micro LED仍面临量产问题，生产性还有待提升。

东丽先端工程技能（上海）有限公司董事长兼总经理董刚表示，业界要考虑如何提高Micro LED的生产性，这个中就包括修复。
电视中有上千万LED，如果被转移到基板上，纵然良率能够达到99.99%，末了须要修复的地方仍旧很多，会花费很永劫光。
还要办理显示器亮度不屈均的问题。
其余，在量产速率、良率和本钱方面，Micro LED与当前已经非常成熟的液晶比较仍不具备上风。
虽然业界已经在巨量转移方面做了不少事情，但Micro LED间隔真正实现量产仍有一段较长的路要走。
巨量转移紧张有两种技能，一种是Pick & Place，另一种是激光巨量转移。
在激光巨量转移方面，东丽做了很多事情，正在研发干系材料与设备。

除根本工艺能力外，玻璃基Micro LED也面临着一些家当化寻衅。
对此，黄秀颀总结为三大问题：一是显示均一性问题；二是适用于Micro LED显示的驱动架构问题；三是无缝拼接问题。
黄秀颀表示，辰显光电专注于玻璃基Micro LED显示的技能研发和家当化，目前已在团队、产线、技能、知识产权等方面进行了全面布局，希望与家当链互助伙伴协同创新，快速推动家当发展进程。

基于自身具备的眇小尺寸，Micro LED也对检测提出了更多寻衅。
Inziv公司CEO David Lewis针对这点表示，在Micro LED家当发展早期，业界更加关注Micro LED的芯片微缩化、芯片设计、效率提高和巨量转移等方面。
但如今Micro LED的关键寻衅在于检测、修复和亮度管理，Micro LED须要得当的设备来实现量产。
当前Micro LED制造最根本的问题是极低的良率。
针对导致其良率低下的构造毛病、材料毛病或热毛病，业界须要开拓一种快速的EL（电致发光）办理方案，以实现对Micro LED毛病的快速检测。

继液晶显示之后，Micro LED是新一代显示迭代技能的有力竞争者，Micro LED芯片无疑是个中的关键环节。
据理解，Micro LED尺寸只有原来主流LED芯片的百分之一，达到几十微米量级。
由于芯片尺寸小，传统的植球打线办法将严重降落芯片的发光比例，因此剥离掉蓝宝石衬底的垂直构培养成为了Micro LED主流芯片构造。

上海芯元基半导体科技有限公司董事长郝茂盛表示，从LED到Mini LED，芯片技能、芯片工艺实质上并无较大差别，只是芯片尺寸在发生变革。
Micro LED发展实质的变革是，不能通过蓝宝石衬底的减薄划裂来完成芯片分割，而是要把GaN芯片直接从蓝宝石衬底上剥离下来。
行业现有的衬底剥离技能只有激光剥离技能，这个技能本身是一个毁坏性工艺，在海内不是非常成熟，这是Micro LED芯片面临的第一个问题。
第二个问题是Micro LED芯片的位错密度问题，该问题对Micro LED芯片同等性的副浸染非常大。
最初GaN LED外延中的位错密度高达1010，只管位错密度很高，但发光效率也很高。
氮化镓LED在日本产生之后，经由三十多年景长，工艺优化已走到天花板，位错密度达到5×108。
但由于现有LED技能位错密度太高，发展Micro LED可能对后续产品发展有很大制约。
因此，延续现有LED芯片技能并发展Micro LED要办理两个问题。
其一是进一步降落氮化镓材料位错密度，其二是找到一个比激光剥离技能更好的剥离技能。

作者丨张依依

编辑丨陈炳欣

美编丨马利亚

监制丨连晓东