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PN8161范例运用于18W PD充电器，除外围精简外，芯片通过DMG脚开关波形间接采样市电和输出电压，实现市电OVP和输出电压OVP，避免充电器内部器件或手机PMU过压破坏。芯片采取3D叠层封装技能，掌握器可精准监控内部智能功率MOS温度，实现低本钱、精准快OTP，有效防止功率器件过热引起的安全问题。
PN8275范例运用于30W/45W/60W PD充电器，芯片通过850V耐压HV脚直接监控市电实现市电OVP保护，并兼具高压启动、X电容放电等功能。芯片内置片内OTP和片外OTP，可监控充电器多个热点，实现双重OTP保护，更安全。此外，DMG实现输出过压保护和OCP线电压补偿，避免输出电压非常破坏手机电池管理电路。
PN8161 18W PD充电器、PN8275 30W/45W/60W PD充电器有效办理有电网颠簸带来的安全寻衅、功率器件发热的安全寻衅以及输出过压对手机PMU的安全寻衅，广泛运用于pd快充的技能中，更多PD快充产品的详细手册或技能资料，请向骊微电子申请。>>
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