双电源8位I/O并行接口MRAM芯片MR256D08BMA45R_存储器_电压

MR256D08BMA45R是一款容量为256Kb的磁阻随机存取存储器MRAM存储芯片，组织为32x8位字。
它支持+1.65至+3.6伏的I/O电压。
MR256D08BMA45R供应与SRAM兼容的45ns读/写时序，具有无限的耐用性。
MR256D08BMA45R的数据保持期长达20年以上而不会丢失，并会在掉电时由低压抑制电路自动供应保护，以防止在非事情电压期间写入。
是必须快速永久存储和检索关键数据和程序的运用的空想内存办理方案。
此款并口MRAM芯片能在很宽的温度范围内供应高度可靠的数据存储。
封装采取48BGA)，并行MRAM是大多数手机、移动设备、膝上机、PC等数字产品的存储器的潜在替代产品。
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