斯达半导申请一种复合银膜及其制备方法和硅基GaN芯片烧结方法专利复合银膜可以在全体烧结制程中削减因热胀冷缩造成的芯片应力损伤导致的裂纹问题经由烧结后芯片与基板之间接头剪切强度高_双峰_金刚石

专利择要显示，本发明供应一种复合银膜及其制备方法和硅基GaN芯片烧结方法，复合银膜用作硅基GaN芯片烧结的焊料，步骤A1，对由纳米银颗粒和微米银颗粒组成的双峰银颗粒进行处理后得到双峰银浆，以及对金刚石颗粒通过处理得到含钛金属的改性金刚石浆料；步骤A2，将双峰银浆印刷在塑料基板上烘干后得到第一银膜；步骤A3，在第一银膜上涂布一层改性金刚石浆料，预烘后在涂布的改性金刚石浆料表面印刷一层双峰银浆，烘干后形成第一银膜‑改性金刚石层‑第二银膜三层夹心构造的复合银膜。
复合银膜可以在全体烧结制程中减少因热胀冷缩造成的芯片应力损伤导致的裂纹问题，经由烧结后芯片与基板之间接头剪切强度高。

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