斯达半导申请一种复合银膜及其制备方法和硅基GaN芯片烧结方法专利复合银膜可以在全体烧结制程中削减因热胀冷缩造成的芯片应力损伤导致的裂纹问题经由烧结后芯片与基板之间接头剪切强度高_双峰_金刚石

专利择要显示，本发明供应一种复合银膜及其制备方法和硅基GaN芯片烧结方法，复合银膜用作硅基GaN芯片烧结的焊料，步骤A1，对由纳米...