对芯片结温的一些理解_温度_外壳

背景常日，芯片的结温(Junction Temperature)（Tj）每上升10℃，器件的寿命就会大约减为一半，故障率也会大约增大２倍。
Si 半导体在Tj 超过了175℃时就有可能破坏。
由此，利用时就必须极力降落Tj，以容许温度（常日80～100℃）为目标进行热量设计。
但是，对付功率器件那样的高输出 元件，要把Tj 抑制在容许温度以下实在是比较困难的，以是常日以规格书里揭载的最高容许温度的80%为基准来设计Tj。
其余、纵然器件的封装相同，根据器件的芯片尺寸、 引线框架的定位尺寸、实装电路板的规格平分歧、热阻值也会发生变革，须要特殊把稳。
定义半导体封装的热阻是指器件在花费了１[Ｗ]功率时，用芯片和封装、周围环境之间的温度差按以下公式进行打算。

个中

项目讲授θｊａ结温（Ｔｊ）和周围温度（Ｔａ）之间的热阻ψｊｔ结温（Ｔｊ）和封装外壳表面温度（Ｔｃ 1）之间的热阻θｊｃ结温（Ｔｊ）和封装外壳背面温度（Ｔｃ 2）之间的热阻θｃａ封装外壳温度（Ｔｃ）和周围温度（Ｔａ）之间的热阻Ｔｊ结温Ｔａ周围温度Ｔｃ 1封装外壳表面（型号面）温度Ｔｃ 2封装外壳背面温度Ｐd最大容许功率结温(Tj)的验证方法（ψjt 已知）用以下的方法可以估算结温(Tj)。

如之前讲述的、推举以Tj 的最高容许温度的80%为基准来进行热量设计。
注)θja,ψjt 是实装到以JEDEC 规格为基准的电路板上时的数值，但是根据引脚类型的尺寸、电路板的材质和尺寸、电路板上的布线比率的不同，多少会有些变革，要特殊把稳。