文章目录
[+]
问题一
在做一个电路设计，利用一个9~24V的电源给一个设备供电，须要实现手动开机后三分钟给设备断电的功能。利用一个STM32的IO口做开关。
那么利用MOS管或光耦如何实现这个开关驱动呢？
注：设备的电流在12V 下是400mA。
问题二
用了一个N-MOS来掌握一个用电设备的负极，用电设备是+12V的，现在我想设计一个采样电路，来判断用电设备到底有没有事情，叨教电路该当怎么样设计，我现在有两个方案，一个是直接用采样电阻接在MOS管的D极进行分压处理直接给CPU，还有便是中间加三极管或者光耦隔离之后给CPU，哪一个好？或者还有什么更好的方案？
上期答案：
1输入pwm根据芯片vdd决定，一样平常便是3.3V单片机vdd接3.3V,5V就接5V。2.VCC取12V,Vb不能人为掌握，即是v_h+vcc占空比-二极管压降
注1：PWM的高电平值应与供电电源VCC相同，因此看你所驱动的MOS管开启电压选取供电电压。
其余，我们利用IR2110自举驱动MOS管时，须要把稳以下几点：
1.选择得当容量的电容器，以确保自举电路可以供应足够的电源电压。
2.选择适宜电流和电压的二极管，以确保二极管能够承受所需的电流和电压。
3.将电容器连接到高侧驱动器的输出引脚和地引脚之间，将二极管连接到电容器的正极和高侧驱动器的VCC引脚之间，确保连接精确。
4.利用万用表或示波器测试电路的电压和电流，确保自举电路正常事情。
还有一点是，自举电路的事情须要高侧驱动器的输出旗子暗记，因此在高侧驱动器的输出旗子暗记涌现之前，自举电路可能无法正常事情。此外，自举电路的电容器须要在每个开关周期内重新充电，因此在高频运用中，可能须要考虑电容器的充电和放电韶光，以确保自举电路的正常事情。
