联电推出全新22纳米_纳米_工艺

只管联电在其现有的28nm和最近的14nm工艺之间插入了新节点，但该节点本身更靠近28nm。
它仍旧是平面CMOS工艺，但在28nm工艺上可减少约10-15％的面积。
比较之下，联电的14纳米工艺供应了2倍的密度。
UMC的22ULP（超低功耗）变体供应了设计规则兼容性，并且掩模数量与其28纳米工艺相同。
该公司还供应22ULL（超低泄露）型号。
与28HPC比较，22ULP在等功率情形下可供应高达20％的性能提升，在等性能情形下可供应高达35％的更低功耗。
联电还供应许多分外设备，包括高VT和高压设备。

联电22纳米有两条迁移路径。
第一个是低本钱的物联网运用，可以从芯片面积缩小中受益，但仍无法承受FinFET设计带来的本钱。
UMC表示:“我们看到，28纳米芯片的设计将以更低的本钱升级到22纳米，因此我们认为它可以用于互连芯片、一些入门级智好手机和高端电视掌握器。
” UMC还与Arm互助在新的22nm平台上供应POP IP。
为此，Arm为Cortex-M以及包括A55在内的一些Cortex-A核心供应POP IP。

第二种迁移路子是针对来自40纳米的设计，它们希望利用低功耗工艺。
与联电现有的40ULP工艺比较，根据设计，联电报告的性能提高了35％至95％，或者功率提高了0.55至1.2倍。

联华电子表示，其22纳米工艺可用于本日的代工客户。
联电也正在为此过程开拓eMRAM，但是尚未宣告推出操持。

原文：https://fuse.wikichip.org/news/3151/umc-rolls-out-22-nanometer/

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