长江存储指控称,美光的96层(B27A)、128层(B37R)、176层(B47R)和232层(B58R)3D NAND Flash以及美光的一些DDR5 SDRAM产品(Y2BM系列)陵犯了长江存储在美国提交的11项专利或专利申请。
此外,2023年11月,长江存储还在美国加州北区地方法院对美光及其子公司美光消费类产品奇迹部提起诉讼,指控它们陵犯了其8项与3D NAND Flash干系的美国专利。
长江存储量产第一代32层3D NAND闪存芯片
据悉,2018年长江存储量产了第一代32层3D NAND闪存芯片,这款由团队历时2年研发成功的首款32 层三维NAND闪存芯片,实现了零的打破。该芯片广泛运用在工控领域。
2020年长江存储开拓了两款128层闪存产品。
但2022年10月,美国政府发布出口牵制条例,限定芯片制造设备向中国出口,同时在 12月,美国将长江存储列入出口牵制实体清单。
国产存储器迈入发展新周期
据悉,NAND闪存和DRAM是存储芯片的两种紧张类型,个中NAND 闪存可用于制造固态硬盘等存储设备。
闪存芯片(NAND )是东芝的舛冈富士雄博士于 1986 年发明为非易失落性存储器。闪存芯片内部电路构造采取非线性宏单元模式,具备容量大,改写速率快的优点,广泛用于须要大量存储空间的电子设备,例如固态硬盘(SSD)、智好手机、影象卡、U 盘等。
1992 年东芝将 NAND Flash 设计授权给三星,同年英特尔也推出了第一款 NAND闪存产品。2007 年东芝率先推出基于 BiCS 技能的 3D NAND 芯片,正式开启了3D NAND 大容量时期。
如今,伴随着自动驾驶、人工智能、元宇宙等新运用在海内的落地,海内数据存储需求不断提升,对国产 NAND 存储芯片的需求也有望不断增长。
这次,长江存储向美光起诉专利侵权也有一定象征意义,不仅显示出了自身技能的领先性,也表示出海内企业在面对外界打压的顽强性。
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来源:IT之家、长江存储官网