首先粗心不可避免，虽说只是区分正负极两根线，一红一黑，可能接线一次，我们不会出错；接10次线也不会出错，但是1000次？10000呢？这时候就不好说了，由于我们的粗心，导致一些电子元器件和芯片烧坏，紧张缘故原由是电流过大使元器件被击穿，以是必须采纳防止接反的方法。
一样平常常用的有以下几种方法：
01 二极管串联型防反接保护电路
在正电源输入端串联一个正向二极管，充分利用二极管正引导通、反向截止的特性。正常情形下，二级管导通，电路板事情。
当电源接反时，二极管截止，电源无法形成回路，电路板不事情，可以有效的防止电源接反的问题。
02 整流桥型防反接保护电路
利用整流桥将电源输入变为无极输入，无论电源正接还是反接，电路板一样正常事情。
以上利用二极管进行防反处理，若采取硅二极管具有0.6~0.8V旁边的压降，锗二极管也有0.2~0.4V旁边的压降，若以为压降太大，可利用MOS管做防反处理，MOS管的压降非常小，可达几毫欧姆，压降险些可忽略不计。
03 MOS管防反保护电路
MOS管因工艺提升，自身性子等成分，其导通内阻较小，很多都是毫欧级，乃至更小，这样对电路的压降，功耗造成的丢失特殊小，乃至可以忽略不计，以是选择MOS管对电路进行保护是比较推举的办法。
1） NMOS防护
如下图：上电瞬间，MOS管的寄生二极管导通，系统形成回路，源极S的电位大约为0.6V，而栅极G的电位为Vbat，MOS管的开启电压极为：Ugs = Vbat - Vs，栅极表现为高电平，NMOS的ds导通，寄生二极管被短路，系统通过NMOS的ds接入形成回路。
若电源接反，NMOS的导通电压为0，NMOS截止，寄生二极管反接，电路是断开的，从而形成保护。
2）PMOS防护
如下图：上电瞬间，MOS管的寄生二极管导通，系统形成回路，源极S的电位大约为Vbat-0.6V，而栅极G的电位为0，MOS管的开启电压极为：Ugs = 0 -（Vbat-0.6），栅极表现为低电平，PMOS的ds导通，寄生二极管被短路，系统通过PMOS的ds接入形成回路。
若电源接反，NMOS的导通电压大于0，PMOS截止，寄生二极管反接，电路是断开的，从而形成保护。
注：NMOS管将ds串到负极，PMOS管ds串到正极，寄生二极管方向朝向精确连接的电流方向。
MOS管的D极和S极的接入：常日利用N沟道的MOS管时，一样平常是电流由D极进入而从S极流出，PMOS则S进D出，运用在这个电路中时则恰好相反，通过寄生二极管的导通来知足MOS管导通的电压条件。
MOS管只要在G和S极之间建立一个得当的电压就会完备导通。导通之后D和S之间就像是一个开关闭合了，电流是从D到S或S到D都一样的电阻。
实际运用中，G极一样平常串接一个电阻，为了防止MOS管被击穿，也可以加上稳压二极管。并联在分压电阻上的电容，有一个软启动的浸染。在电流开始流过的瞬间，电容充电，G极的电压逐步建立起来。
对付PMOS，比较NOMS导通须要Vgs大于阈值电压，由于其开启电压可以为0，DS之间的压差不大，比NMOS更具有上风。
04 保险丝防护
很多常见的电子产品，拆开之后都可以看到电源部分加了保险丝，在电源接反，电路中存在短路的时候由于大电流，进而将保险丝熔断，起到保护电路的浸染，但这种办法修理改换比较麻烦。
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