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ir2110替代芯片ID7S625特色
芯片事情电压范围10V~20V
输入逻辑兼容3.3V/5V/15V
（图片来自网络侵删）
输出电流能力2.5A
高侧浮动偏移电压600V
自举事情的浮地通道
所有通道均有延时匹配功能
所有通道均具有欠压保护功能(UVLO)
ID7S625具有独立的高低侧输出通道，其浮地通道能事情在60OV的高压下，可用于驱动一个N沟道功率MOSFE或IGBT半桥拓扑构造，非常适宜硬开关逆变器驱动器、DCDC 变换器。低压侧和高压侧掌握和驱动器均为自供电，无需外部赞助电源。
IR2110国产替代芯片ID7S625驱动采取外部自举电容上电，因其体积小、速率快等优点，使得驱动电源路数目较其他IC驱动大大减小，降落了产品本钱, 提高了系统的可靠性，已成为大多数中小功率变换装置中驱动器件的选择，更多ir2110驱动替代料ID7S625 600V大电流驱动芯片产品手册及运用资料请向骊微电子申请。>>
