下面这张图清晰展现了存储芯片的“江湖地位”。
集成电路占全体半导体行业的82.64%，而存储器的市场规模为1297.67亿美元，仅次于逻辑芯片，占到了全体集成电路的22.60%。
这里提到的存储器，特指半导体存储器。
按存储介质不同可分为光学存储、磁性存储和半导体存储。
光存储器是指用光学方法从光存储媒体上读取和存储数据的一种设备，一样平常指光盘机（比如CD，DVD等）、光带机和光卡机等。
磁性存储是指利用磁能办法存储信息的磁介质设备，其存储与读取过程须要磁性盘片的机器运动，比如，磁带、PC硬盘、移动硬盘等领域。
而存储芯片，又称为半导体存储器，是指利用电能办法存储信息的半导体介质设备，其存储与读取过程表示为电子的存储或开释，广泛运用于内存、U 盘、消费电子、智能终端、固态存储硬盘等领域。
通过上面这张图可以看到，这两大类产品又可以细分出各种产品。
根据 ICInsights 的数据显示，2021年环球 DRAM\NAND\NOR 营收占比分别为 56%\41%\2%。
其他不用记太多，只须要记住一点：DRAM和NAND是存储芯片中最大的两大品类，DRAM和NAND FLASH占市场的绝对大头占到95%以上，Nor和其他类占小头只有5%都不到。
DRAM 具有较高读写速率、存储韶光短等上风，但单位本钱更高，紧张用于PC内存(如DDR)、手机内存(如LPDDR)和做事器等设备等。
Flash（闪存）由于具备了重量轻、体积小、功率低等优点，被运用在各种电子产品的硬盘上。Flash又可以分成 NOR Flash 和 NAND Flash。
NOR Flash比NAND Flash更早导入市场。读取的速率较快，但写入的速率慢、价格也比NAND Flash贵。
NAND Flash写入的速率快、价格较低，故目前以NAND Flash最为普遍。现在的固态硬盘（Solid State Drive, SSD）、USB硬盘和手机储存空间，便是用NAND Flash为主流技能。
大略记便是：DRAM紧张用作内存，而NAND紧张用作硬盘。
二，技能路线：DRAM来到DDR5，NAND迈入3D期间
1，DRAM：从DDR1到DDR5
固态技能协会（JEDEC）定义了三种DRAM标准种别：DDR、LPDDR、GDDR。
个中，DDR因其性能和本钱上风成为目前PC和做事器端主流内存。
目前已经从DDR1演进了DDR5。DDR的能耗越来越低，传输速率越来越快、存储容量也越来越大。
目前，三星已经率先开始了下一代DDR6内存的早期开拓，估量其DDR6设计将在2024年之前完成，在2025年之后开始商业运用。
2，DRAM：前辈制程工艺已经缩小到 15nm 以下
从制程工艺的进展来看，DRAM的前辈制程工艺已经缩小到15nm以下，各大厂商连续向10nm逼近。10nm级的制程工艺，在未来很长一段韶光内将是DRAM的主流工艺水平。
由于电路构造是三维的，利用线性的衡量办法并不适宜，存储行业常日利用 1X、1Y、1Z、1α、1β、1γ 之类的术语表达制程。
以下为国际三大存储厂商DRAM发展路线图：
中国本土DRAM厂商处于什么水平呢？
兆易创新依托合肥长鑫的代人为本，2021年推出首款自研4Gb DRAM，采取 19nm制程工艺，目前即将推出17nm产品；北京君正采取中国tw力晶、南亚科技的25nm工艺平台；紫光国芯、东芯股份等最新工艺制程为25nm。
3，NAND：QLC比重正在逐步提高
按存储单元密度来分，NAND Flash 可分为 SLC、MLC、TLC、QLC 四种。
目前 NAND Flash紧张以TLC为主，QLC比重正在逐步提高。虽然QLC的性能和耐久度的不敷，但可以通过增大容量来填补，在消费类产品中有取代TCL的趋势。
4，NAND：从2D买入3D时期
2D NAND将存储数据的单元水平并排地放置，放置单元的空间量有限，缩小单元则会降落可靠性。
3D NAND在纵向上增加叠放单元，加大单位面积内的晶体管数量，从而得到更高存储密度，实现更高的存储容量，此外，耐久度更高、功耗更小，同时不会导致价格大幅上升。
NAND完成了从2D产品向3D产品的转化，技能上不再追求制程的打破，更加侧重于叠层的增加
国内外存储厂商 3D NAND 层数已经发展到 200+层，未来将持续拓展更高层数。
总的来说，只管当前存储行业技能工艺依旧遵照摩尔定律，存储芯片行业的技能创新是趋缓的。
三，存储芯片具有较强的周期性，且每每领先于全体半导体行业。
存储芯片是半导体标准化程度最高的市场，同类产品可替代强（终端用户利用品牌意识不强），受行业景气度受供需关系影响较大，呈现出较强的周期性，被视为半导体家当周期的风向标。
根据历史数据表现来看，半导体和存储市场周期性趋同，但存储行业整体颠簸性较大，弹性较强。
在整体行业处于下行周期时，存储市场每每会受到更高的冲击，而相应地若处于从低谷持续回暖的上行周期，存储芯片市场也将会相对受益更多。
除此之外，过去两轮半导体下行期，存储都是提前见底。也便是说，存储芯片周期相对付全体半导体行业具有领先性。
从市场规模颠簸上看，可将存储行业09年至今分为四轮周期，上行期与下行期均约两年。
韶光上分别是：09~12年；13~16年周期；17~20年周期；21H2至今。
分产品来看，DRAM行业由于格局更集中，供给端扩产较节制，周期上行时具有更强的抬价能力，因此周期性较NAND表现更为明显。
四，国际巨子一样平常采取IDM模式，海内存储厂商多数采取 Fabless 模式
存储芯片标准化程度较高，国际巨子大部分采纳IDM模式运行。
海内存储企业由于规模较小，刚开始从小众市场切入，多数采取Fabless模式。随着企业规模的扩大，长期或将向 IDM 模式转型。
近些年，海内大型存储项目长江存储、合肥长鑫、福建晋华均是IDM模式的大型晶圆厂布局。
IDM原厂巨子业务覆盖环节包括设计、制造、部分主控芯片、部分封测以及部分模组，据各环节公司公告数据拆分，IDM 原厂代价链覆盖比例达到82%以上，家当链议价权较集中于IDM巨子，故家当链各环节玩家发展将较大取决于与存储原厂的商业模式关系。
利基存储从家当链附加值占最近看，代价占比较大的环节为设计制造环节，分别占24%与42%。
五，行业经历了两次变迁
存储芯片家当发源于美国，此后经历过两次大的家当转移。
第一次是从美国昔日本迁移。
1976年，日本通过jgtz，成立了VLS 联合研发体，成功研制出64K DRAM，追平了美国研发进度；1980年代，日本厂商凭借质量和价格上风，开始反超美国，市占率逐渐达到环球第一。
第二次是从日本往韩国迁移。
1985年，日美mc不断增加，美国开始对日本jj履行打压，在陆续的施压下，日本存储芯片市场份额一落千丈，很快损失了主d权。
韩国企业捉住了美日半导体竞争的契机，在美国的技能转让和市场准入扶持下，三星电子脱颖而出，逐渐赶超日本。
第三次家当变迁，会从当前的韩国往中国迁移吗？我们拭目以待。
六，供需特色：周期即将反转，AI成为长期驱动力
1，需求端：
需求端情形紧张取决于移动端、PC 以及做事器市场需求量，做事器市场需求已成为市场增长的紧张驱出发分。
个中DRAM市场需求紧张以手机、PC和做事器为主，2022 年占比分别为 34%/16%/33%。
NAND Flash紧张包括嵌入式存储、固态硬盘、移动存储等，个中嵌入式存储与固态硬盘是NAND Flash的紧张产品种别，市场规模近两年占NAND Flash市场 85%以上。
全体存储行业目前紧张驱动还是受下贱消费电子类终端影响，一些新型的科技势力短期爆发式增长，对细分市场产品也有一定的驱动力。
今年数据中央、AI等根本举动步伐布局加快，环球AI做事器估量2023年增长15.30%，达211亿美元，算力需求爆发式增长须要搭载更大的存储容量以提升处理速率，从而带动存储芯片需求增长。
2，供给端
总体上产能过剩，巨子通过减产以及减少成本开支的办法来提升价格。
截至2023年8月，年初至今DRAM现货价格下跌30%旁边，部分现货DDR颗粒供应过剩，原厂不断紧缩供应过剩的DDR4转向利润更高的DDR5，市场供需状况在产能调动中持续变革，部分DRAM行情短期承压。
NAND Flash方面，价格日益趋紧，8月渠道需求环比有所规复，芯片供给端过剩征象将进一步改进，部分产品价格涌现上扬趋势。
目前存储行情位于底部横盘阶段，市场仍旧处于争夺存量需求的阶段，在上游厂商减产、缩减成本开支和消费持续复苏的带动下，估量下半年存储行情将持续回暖。
七，竞争格局：集中度高，GC化空间极大
存储行业属于技能密集型家当，环球市场份额基本被韩国、日本以及美国等国家霸占。
目前DRAM市场由三星、SK海力士和美光三家厂商主导，CR3市占率合计超过95%，市场高度集中。
寡头垄断的格局使得海内厂商对DRAM芯片议价能力很低，也使得DRAM 芯片成为我国受外部影响最严重的根本产品之一。
NAND Flash市场经由几十年的发展，逐渐形成了由三星电子、铠侠、西部数据、美光、SK海力士等组成的稳定市场格局，2023年Q2CR5合计市占率达95%。
NOR行业经历二十多年演化，头部厂商经历多次洗牌，国际存储巨子相继退出NOR Flash市场，2017年之后，环球NOR Flash市场被旺宏、华邦、赛普拉斯、美光和兆易创新垄断。
海内厂商加快家当链布局，聚焦利基型存储市场。海内存储芯片行业起步晚，缺少技能积累，海内厂商除合肥长鑫和长江存储外，大部分聚焦于利基型市场，与国际龙头展开错位竞争。
海内存储IDM原厂为长鑫存储与长江存储，两家公司分别在DRAM与NAND技能追赶上进展迅速，长鑫23年DRAM已打破 17nm，长江存储NAND布局上推进至232层，逐步向外洋主流水平靠近。据 IDC 数据，长鑫与长存在DRAM与NAND上市占率从2020年的0.3%与1.0%上升至2022年的1.8%与3.5%，估量未来GC化水平将连续提升。
整体上，存储行业市场空间巨大，海内企业纷纭布局，但从产能与技能上依然有巨大的GC化空间。
参考文献：东海证券《存储市场柳暗花明，国产替代未艾方兴》
