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专利择要显示，本申请履行例供应了一种功率MOSFET版图，包括：源极区和栅极区；所述栅极区设置在全体版图对角线的一端，所述源极区具有间隔设置的第一沟槽区和第二沟槽区，所述第一沟槽区包括多个间隔设置的第一沟槽，多个所述第一沟槽相互之间设置有第一阱区，所述第二沟槽区包括多个间隔设置的第二沟槽，多个所述第二沟槽相互之间设置有第二阱区，所述第一阱区和第二阱区的掺杂浓度不同。本申请履行例可以使源极区未直接打仗封装体的部分电流密度降落，可以快速的进行芯片的散热。
本文源自金融界
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