国产光耦替代-前辈光半导体
光耦继电器-前辈光半导体
光耦合器LED的输入电流必须通过一个串联的外部电阻加以限定，如图10所示，该电阻可以连接在LED的阳极或阴极侧。如果要通过互换电源驱动LED，或者有可能在LED两端施加反向电压，则必须通过如图11所示连接的外部二极管保护LED免受反向电压的影响。
通过将外部电阻与该器件的集电极串联，可以将光电晶体管的事情电流转换为电压。该电阻可以连接到光电晶体管的集电极或发射极，如图12所示。该电阻的值越大，电路的灵敏度越高，但是其带宽越低。
国产光耦替代-前辈光半导体
在正常利用中，光电晶体管的基极度子开路。但是，如果须要，可以利用图13（a）所示的基极度子将光电晶体管转换为光电二极管，而无需考虑发射极度子（或将其短路至基极）。这种连接导致带宽大大增加（常日为30MHz），但CTR值大大降落（常日为0.2％）。
其余，如图13（b）的达林顿示例所示，通过在基极和发射极之间布线一个外部电阻器（RV1），可以利用基极度子来改变光耦合器的CTR值。RV1开路时，CTR值是普通达灵顿光电耦合器的CTR值（常日最小为300％）；如果RV1短路，则CTR值是二极管连接的光电晶体管的CTR值（常日约为0.2％）。
前辈光半导体-光耦替代系列
光耦合器器件非常适宜数字接口运用，个中输入和输出电路由不同的电源驱动。它们可用于连接相同系列（TTL，CMOS等）的数字IC或不同系列的数字IC，或用于将家用打算机等的数字输出与电动机，继电器和灯等接口。可以利用各种专用的“数字接口”光耦合器设备或利用标准的光耦合器来实现这种接口。图14至图16示出了后一种类型的电路。
图14显示了如何利用供应非反相浸染的光耦合器电路连接两个TTL电路。此外，光电耦合器LED和限流电阻器R1连接在5V正电源线和TTL设备的输出驱动端子之间（而不是在TTL输出和地之间），由于TTL输出常日可以接管相称大的电流（常日为16mA），但只能供应非常低的电流（常日为400µA）。
光电耦合器-前辈光半导体
处于逻辑0状态时，TTLIC的开路输出电压降至低于0.4V，但是如果未安装内部上拉电阻，则在逻辑1状态中TTLIC的开路输出电压可能仅上升至2.4V。。在这种情形下，当TTL输出为逻辑1时，光耦合器LED电流将不会降至零。如图14所示，通过安装一个外部上拉电阻（R3）可以战胜这种障碍。图14电路的光电耦合器光电晶体管连接在被驱动的（右侧）TTLIC的输入和地之间，这是由于TTL输入须要在1.6mA下下拉至800mV以下，以确保精确的逻辑0操作。
CMOSIC输出可同样轻松地供应或接管电流（高达几mA）。因此，可以通过利用类似于图14的吸收器配置来连接这些设备，或者可以利用图15所示的源配置。在任何一种情形下，R2值必须足够大以供应可切换的输出电压摆幅。完备在CMOS逻辑0和逻辑1状态之间。
光耦合器-前辈光半导体
光电耦合器-前辈光半导体
图16显示了如何利用光耦合器将打算机的输出旗子暗记（5V，5mA）连接到12V直流电动机，该电动机花费的事情电流小于1A。当打算机输出为高电平时，光电耦合器LED和光电晶体管均熄灭，因此通过Q1和Q2驱动电动机。当打算机的输出变低时，LED和光电晶体管被打开，因此Q1-Q2和电动机被割断。可通过在R2和Q1基极之间串联布线光耦合器的输出来得到相反的效果，这样Q1-Q2和电动机仅在打算机输出变低时才打开。
