Si CMOS 单芯片毫米波雷达传感器技能研究获进展_毫米波_暗记

中国科学院上海微系统与信息技能研究所研究员田彤及其课题组于2010年中开始开展有关技能的研究。
经由5年多的努力，目前取得打破性进展。
在严谨的根本技能研究如Si衬底毫米波器件建模、低阻衬底效应抑制、噪声抑制等技能研究根本上，采取Si CMOS研究设计了35Ghz单芯片毫米波雷达传感器并流片成功。
雷达传感器采取连续调频（FMCW）系统编制，片上包括35Ghz的FMCW旗子暗记源、收发链路、电源管理电路、SPI掌握数据口、在线校准以及中频放大电路等，全部毫米波旗子暗记处理模块在芯片上，对用户透明。
经测试中央频率35Ghz、chirp旗子暗记调频带宽1.4Ghz、自身功耗120mW。
部分测试结果如图。

从目前已经揭橥的国际同领域研究结果综合比较来看，该项研究目前处于国际第一梯队，也是海内首块功能完全的Si CMOS 单芯片毫米波系统。
目前课题组正在工业界资金支持下， 将研究事情向77GHz及98Ghz单芯片雷达传感器以及5G通信系统前端芯片推进。

田彤及其课题组在自筹部分资金的根本上，在研发早期即积极寻求与工业界的互助。
所幸得到工业界在研发资金方面的大力支持，探索了一条根本研究-家当化一步走、学术代价与商业利益相互支持、相得益彰的模式，也为课题组后续的持续发展及新领域的探索、为中国微电子技能的发展供应了一条思路。

Si CMOS 单芯片毫米波雷达传感器技能研究获进展