设计测试电路，个中包括 SOT23封装的稳压芯片，可以焊接 XC6206、PT7533。还有 SOT 223 封装，可以焊接 1117 。利用一个 S4010 MOS 管，带动一个 电阻负载。丈量输出电压稳定性。布设PCB，适宜一分钟制板。一分钟之后，得到测试电路板。
▲ 图1.1.1 实验PCB
AD\Test\2024\April\Test75551117.PcbDoc
▲ 图1.1.2 实验电路板事理图
二、输入动态特性
丈量 HT7533的输入动态特性，在输入端输入一个 12V的电压阶跃旗子暗记。丈量输出的变革。利用 QR10电阻箱 在输出增加一个 10k 欧姆的负载。丈量输出旗子暗记的变革。青色旗子暗记为输出旗子暗记，黄色为输入旗子暗记。在开始 15ms 之内，输出电压有大约0.5V的过冲，之后变稳定在 3.3V的输出电压。
在输入端口，增加一个10欧姆电阻，限定了输入电压上升速率，可以看到开始的过冲韶光减少了 。将输入电容增大到 20微法，输入电阻增加到 51欧姆，HT7533仍旧有过冲，韶光减少 5ms 旁边。
将输入电阻增加到 200欧姆，输入电压上升过渡韶光增加到 5ms，此时，输出电压就基本上没有过冲。这是将输入缓冲电阻增加到 1k 欧姆，基本上输出就没有过冲了。
作为比拟，将稳压芯片变动成1117,。利用 QR10设置输入缓冲电阻为 1 欧姆。可以看到 1117 基本输出没有任何过冲。将输入缓冲电阻改换成 50欧姆，1117 的输出就没有任何过冲了。
通过这个比拟，解释在稳压芯片输入端，利用 RC 缓冲上升电压速率，的确可以减少输出电压过冲。但 HT7533芯片的过冲，看起来是娘胎里带来的。无法拔除。1117 则没有任何过冲征象。
三、瞬态负载
下面测试一下 1117 的瞬态负载。利用一个 功率MOS 管，掌握电源输出一个 5欧姆电阻负载。开关频率为 1k Hz。负载电流变革大约 600mA。测试输出电压变革。在MOS驱动电压为 高电平时，对应负载电流为 600mA。输出电压略微低落，当MOS驱动电压变为0V，负载电流变革到 0mA。输出电压有一个过冲，然后在 0.5ms 内规复到3.3V。展开韶光，可以看到 1117 动态调度过程，动态调度过程大约为10微秒。高下颠簸大约 250mV。
□总 结本文对两款稳压芯片的动态特性进行了测试。HT7533在输入电压上升过程中，会涌现 10ms旁边的输出电压过冲，过冲大约 500mV。通过引入输入串联电阻，减缓输入电压上升速率，可以缩短电压过冲的韶光。作为比拟，1117 并没有电压过程，而且在 600mA瞬态电流的变革下，输出电压调度过程只有 10微秒旁边。
