“目前，国际上符合新能源汽车高效、高可靠性的IGBT产品，在中国除了以比亚迪为代表的车企，就紧张集中在欧洲和日本”，比亚迪第六奇迹部兼太阳能奇迹部总经理陈刚自满地说道，“随着具有自主知识产权的IGBT产品的量产、大批量供应，中国已经可以和欧洲、日本三分天下。”
发布会现场
昨日（12月10日），比亚迪在宁波正式发布其全新车规级“IGBT4.0”技能。比较当前市场主流产品，比亚迪IGBT4.0技能在芯片损耗、模块温度循环能力、电流输出能力等关键指标上均是处于领先地位。
在电动车电流输出能力上，比亚迪IGBT4.0赶过市场主流产品15%；而其综合损耗，在同等工况下则降落约20%；温度循环寿命更是提升10倍以上。以比亚迪全新一代唐为例，仅综合损耗降落20%这一项，便意味着其百公里电耗将降落约3%。
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)全称“绝缘栅双极型晶体管”，是一种大功率的电力电子器件，紧张用于变频器逆变和其他逆变电路，将直流电压逆变成频率可调的互换电，被称之为电力电子装置的“CPU”。作为电动车电控技能中的核心零部件，IGBT紧张被用于掌握车辆驱动系统直、互换电的转换，直接决定了扭矩、最大输出功率等影响车辆性能的关键性指标。
比亚迪IGBT4.0晶圆（硅半导体集成电路制作所用的硅晶片）
IGBT技能，由于设计门槛高、制造技能难、投资大，在过去相称长的韶光里，其核心技能始终节制在英飞凌、三菱等国际“巨子”手中，霸占着中高端IGBT市场90%的份额，导致“一芯难求”，成为制约我国电动车行业康健、快速发展的紧张瓶颈之一。
对此，比亚迪于2003年便开始方案布局IGBT家当，并于2005年组建研发团队，正式进军这一领域。2009年9月，比亚迪IGBT芯片成功通过中国电器工业协会电力电子分会组织的科技成果鉴定，标志着中国在IGBT芯片技能上实现零的打破，冲破了国际巨子的技能垄断。
目前，比亚迪已经陆续节制IGBT芯片设计和制造、模组设计和制造、大功率器件测试运用平台、电源及电控等环节，成为“中国唯一一家拥有IGBT完百口当链的车企”。
比亚迪IGBT芯片通过中国电器工业协会电力电子分会组织的科技成果鉴定
也正是得益于IGBT等技能的不断打破，比亚迪在新能源领域得到了持续领先。从2015到2017年，比亚迪电动车销量已经“连续三年位居环球第一”。在刚刚过去的11月份，比亚迪共发卖新能源乘用车28793辆；1-11月，其累计销量已达到190142辆。
当然，比亚迪并未就此止步，而是将目光投向了更远的未来。在发布会现场，比亚迪同时宣告，已投入巨资布局性能更加精良的第三代半导体材料SiC（碳化硅），并已成功研发SiC MOSFET（汽车功率半导体包括基于硅或碳化硅等材料打造的IGBT或 MOSFET等），有望于2019年推出搭载SiC电控的电动车。
第三代半导体材料SiC
在比亚迪看来，随着电动车性能不断提升，对功率半导体组件提出了更高的哀求，当下的IGBT也将逼近硅材料的性能极限。寻求芯片损耗更低、电流输出能力更强、更耐高温的全新半导体材料，已成为学界和业界的普遍共识。
比亚迪SiC晶圆
估量到2023年，比亚迪将在旗下的电动车中，实现SiC基车用功率半导体对硅基IGBT的全面替代，将整车性能在现有根本上再提升10%。陈刚表示：“SiC MOSFET将成为比亚迪电动车性能持续迭代更新的新一代‘杀手锏’，我们期望在加速、续航等性能指标上，为广大消费者带来更多惊喜。”（经济日报-中国经济网 郭涛）
