Σ-Δ 型AD芯片AD7193的阻抗匹配_芯片_阻抗

AD芯片采集仿照旗子暗记涉及到AD芯片采集的精度和可靠性问题。
在一些高精度旗子暗记采集的场合，我们不只是要会选择一款性能优秀的AD芯片。
同时要发挥AD芯片的性能，还必须充分考虑AD芯片的阻抗匹配问题。
很多地方每每由于一个电阻和电容的利用导致AD的精度性能大大低落。

首先AD芯片为什么要进行阻抗匹配？下面紧张从AD芯片的基本事理来先容：下图是 Σ-Δ 型AD芯片的内部输入真个模型框图：

Σ-Δ 型AD芯片前级输入是一个电容C，通过S1的开关进行充电，S2开关进行电压的读取。
因此，基于此事理，AD芯片转换电压进行量化是有韶光哀求的，普通一点理解便是有一个RC充放电韶光常数。
这个RC韶光便是AD芯片哀求的阻抗匹配。
当然有些AD芯片在输入前级还有一个缓冲输入级，由于缓冲输入级一样平常利用了一个跟随电路，其阻抗非常大可以不用考虑AD输入阻抗匹配的问题。

下面以AD7193芯片的实际利用过程中碰到的坑来解释。
下图是一个关于AD7193 24位AD的旗子暗记输入电路。
R31、C17组成一个阻抗匹配的输入电路。

我们通过查阅AD7193的数据手册，里面有关于不同采样速率的阻抗哀求的表，如下：从表格里面可以看

出，当电阻为230欧的时候利用的电容为1000PF，而上面的事理图中利用的电阻和电容值为100欧、0.1uF，电容明显大于数据手册哀求的值，很多开拓者误区：认为电容C17电容越大，输入AD旗子暗记越稳定，实则不然，电容大了导致AD的精度大打折扣。

因此，在利用高精度AD的时候我们必须严格参考数据手册，对输入AD的旗子暗记进行阻抗匹配，才能担保AD的采集精度不打折扣。