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CR6212B芯片系列特性：
● CR6212B内置 650V 高压功率 MOSFET，反激式原边检测，CC\CV原边检测 PWM 功率开关；
● 采取SOP8 封装，一侧引脚（5-8）全为内置 MOS 漏极，方便散热设计；
（图片来自网络侵删）
● 内置软启动，减小 MOSFET 的应力，内置斜坡补偿电路；
● 低功耗、高能效频率反走QR模式掌握；
● 具有良好的EMI特性，可编程输入欠压或过压保护；
● 具有“软启动、OCP、SCP、OTP、OVP、引脚悬空”等多种保护；
● 原边反馈，无需光耦和 TL431，内置电感量偏差补偿功能；
● 电路构造大略、较少的外围元器件，适用于小功率 AC/DC 电源适配器、充电器。
范例运用电路图
CR6212B系列芯片内部采取了多模式掌握的效率均衡技能，用于芯片系统待机功耗和提升效率，采取原边掌握办法，因此不须要 TL431 和光耦，还增加了CS频率抖动 EMI更加好，还有BO和LINE_OVP 检测，范例运用于小功率电源适配器、智能设备充电器、赞助电源等领域，更多CR6212B系列12V1A/12V1.5A/5V3.4A芯片产品手册、样品及参考运用资料请向骊微电子申请。>>
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