长鑫存储申请半导体结构及其制作方法专利改进芯片翘曲的问题_半导体_多个

专利择要显示，本公开履行例涉及半导体领域，供应一种半导体构造及其制作方法，个中，半导体构造包括：芯片，芯片具有第一壁，且第一壁包括电性连接区和非电性连接区，个中，至少部分非电性连接区位于第一壁的边缘；多个第一打仗垫，第一打仗垫位于非电性连接区；多个第二打仗垫，第二打仗垫位于电性连接区；连接部，连接部至少位于部分第一打仗垫之间，且连接部的顶表面低于第一打仗垫的顶表面，可以改进芯片翘曲的问题。

本文源自金融界