半导体家当链紧张包含芯片设计、晶圆制造和封装测试三大核心环节，此外还有为晶圆制造与封装测试环节供应所需材料及专业设备的支撑家当链。
对付大多数人来说，半导体行业高大尚，深奥难懂。其代表了人类最前辈的制造科技技能，那么笔者以图文形式，让大家秒懂秒懂半导体（芯片）制造工艺的核心流程。图文紧张先容半导体（芯片）加工的主要工站。
目前晶圆洗濯bai技能大致可分为湿du式与干式两大类，目前仍以湿zhi式洗濯法为dao主流。
1. 湿式洗濯技能 湿式洗濯技能，因此液状酸碱溶剂与去离子水之稠浊物洗濯晶圆表面，随后加以润湿再干燥的程序。大体分为以下两种：(1) 湿式化学洗濯 (2) 湿式程序中打消微粒的技能
2. 干式表面洗濯技能 干式晶圆打消技能而言，去除的办法紧张有三： (a)将污染物转换成挥发性化合物。 (b)利用动量使污染物直接扬起而去除。 (c)运用加速离子，使污染物破碎。大体分为以下两种：(1) 干式表面污染物打消技能 (2) 干式表面微粒打消技能
清洁晶圆
光刻
光刻工艺紧张步骤：
光刻工艺流程
1. 基片前处理为确保光刻胶能和晶圆表面很好粘贴，形成平滑且结合得很好的膜，必须进行表面准备，保持表面干燥且干净，
2. 涂光刻胶涂胶的目标是在晶圆表面建立薄的、均匀的，并且没有缺陷的光刻胶膜。
3. 前烘(软烘焙)前烘的目的是去除胶层内的溶剂，提高光刻胶与衬底的粘附力及胶膜的机器擦伤能力。4. 对准和曝光(A＆E) 担保器件和电路正常事情的决定性成分是图形的准确对准，以及光刻胶上精确的图形尺寸的形成。以是，涂好光刻胶后，第一步是把所需图形在晶圆表面上准确定位或对准。第二步是通过曝光将图形转移到光刻胶涂层上。
5. 显影显影是指把掩膜版图案复制到光刻胶上。
6. 后烘(坚膜)经显影往后的胶膜发生了软化、膨胀，胶膜与硅片表面粘附力低落。为了担保下一道刻蚀工序能顺利进行，使光刻胶和晶圆表面更好地粘结，必须连续蒸发溶剂以固化光刻胶。
7. 刻蚀刻蚀是通过光刻胶暴露区域来去掉晶圆最表层的工艺，紧张目标是将光刻掩膜版上的图案精确地转移到晶圆表面。
8. 去除光刻胶刻蚀之后，图案成为晶圆最表层永久的一部分。作为刻蚀阻挡层的光刻胶层不再须要了，必须从表面去掉。
离子注入离子植入技能可将掺质以离子型态植入半导体组件的特定区域上，以得到精确的电子特性。这些离子必须先被加速至具有足够能量与速率，以穿透（植入）薄膜，到达预定的植入深度。离子植入制程可对植入区内的掺质浓度加以精密掌握。基本上，此掺质浓度（剂量）系由离子束电流（离子束内之总离子数）与扫瞄率（晶滑腻调皮过离子束之次数）来掌握，而离子植入之深度则由离子束能量之大小来决定。
大略说，便是将所注入的气体离子化成为带正电荷的离子束。对离子束用磁场进行筛选后，得到所须要的注入离子，再加速撞击到注入表面，达到注入离子的目的。在这过程中，须要掌握好真空度，一样平常须要超高真空。其余，须要掌握好加速能量和注入角度，以掌握注入的深浅程度。全体系统须要有精确的电流丈量和打算，精密的机器运动掌握。因此，离子注入系统是集机器，真空，电子丈量，打算机掌握，高速数据采集和通讯等一体的繁芜精密掌握系统。
离子注入
蚀刻蚀刻bai(etching)是将材料利用化学反应或物理撞击浸染du而移除的技能zhi。蚀刻dao技能可以分为湿蚀刻(wet etching)和干蚀刻(dry etching)两类。湿蚀刻便是利用得当的化学溶液堕落去除材质上未被光阻覆盖（感光膜）的部分，达到一定的雕刻深度。蚀刻精度高，则可以完成精度哀求更高的风雅零件的加工，扩大蚀刻运用的范围。目前已经利用的蚀刻液类型有六种类型：酸性氯化铜、碱性氯化铜、氯化铁、过硫酸铵、硫酸/铬酸、硫酸/双氧水蚀刻液。
蚀刻
晶圆切割晶体硅在加工出来之后，bai为了方便光du雕设备，以是有zhi一定的规格，一样平常是盘状dao的，很大一片；成品芯片的面积很小（例如CPU的芯片面积差不多和小拇指的指甲那么大，CPU算是我见到最大的芯片了），光雕是批量的，一大块上全部雕好之后，就须要一块一块切下来，然后连续加工，然后测试，封装，包装等等.....
晶圆切割
