什么是LED的结温：是在芯片中间 P层和N层接合面的温度。我们知道这个半导体PN节，是没办法用直接打仗的方法来丈量的，PN结用不是粘合方法制作，而是强制力挤入形成，无法打仗到。PN结半导体硅元件，其本身比金属传热能力有限。
现在科研理论上有多种丈量方法，个中以下三种较有可行性。
1，红外热成像法，利用红外非打仗温度仪直接丈量LED 芯片的温度，但哀求被测器件处于未封装的状态，其余对LED 封装材料折射率有分外哀求，否则无法准确丈量，丈量精度比较低。从以上可知道，这个方法一样平常用于LED封装时赞助参考丈量的方法之一。这种丈量因红外线量测有光滋扰。这种也是属于直接丈量法，这和物体的材质，发光强度，反光系数有很大关系。滋扰成分多，丈量的数据只能做参考。
红外丈量仪
2，通过丈量管脚温度和芯片耗散功率和热阻系数求得结温。但是由于耗散功率和热阻系数的不准确，以是丈量精度比较低。
3，利用二极管 PN 结电压与结温的Vf-TJ 关系曲线，来丈量LED 的结温。
利用发光二极管PN结的正向压降Vf与PN结的温度成线性关系的特性，见公式(Vf=A+BTo，式中T0为环境温度(测试中即炉温)，A、B为线性拟合系数，B是正向压降随温度变革的系数)。通过丈量其在不同温度下的正向压降差来得到发光二极管的结温。特定电流下 LED 的正向压降 Vf 与 LED 芯片 的 温度成线性关系,以是只要测试到两个以上温度点的 Vf 值,就可以确定该 LED 电压与 温 度的关系斜率,即电压温度系数 K 值,单位是 mV/°C .K 值可由公式 K=ㄓ Vf/ㄓ Tj 求得.K 值有了,就可以通过丈量实时的 Vf 值,打算出芯片的温度(结温)Tj . 为了减小电 压丈量带来的偏差
测试过程中我们采取了双芯片构造，在丈量中PN结既是被测工具，同时也是温度传感器，PN结温度的变革通过温度敏感参数即PN结正向压降的变革输出，这样就简化了测试线路和构造，同时肃清了因附加温度传感器而引入的丈量偏差
