消息称三星西安闪存二厂完成扩建并已投产NAND 产量超全球 10%_美元_半导体

陕西日报指出，西安三星半导体一期项目于 2012 年 9 月开工培植，2014 年 5 月建成投产，投资总额由建厂时操持的 70 亿美元增加到实际完成投资 108.7 亿美元，个中闪存芯片项目投资 100 亿美元，封装测试项目投资 8.7 亿美元。

IT之家曾宣布，2017 年 8 月 30 日，西安三星半导体投资 70 亿美元在西安高新区培植 12 英寸闪存芯片二期项目，新建一条闪存生产线。
2019 年 12 月，该公司决定再投资 80 亿美元，拟对二期项目进行扩建，实现增产及产品迭代。

据悉，三星电子、SK 海力士等韩国半导体大厂都在中国设厂，且生产量市占全体半导体工厂的一半。
三星电子在中国西安建立生产 NAND Flash 存储芯片月产可以达到 26.5 万片 12 吋晶圆。
而 SK 海力士也在考虑将主要的生产线迁移至中国当地生产。