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专利择要显示,本申请属于动态随机存取存储器技能领域,公开了一种兼容DDR3、DDR4和LPDDR4的阻抗校准电路及校准方法,多路掌握模块用于掌握第二校准模块的事情模式和阻抗校准档位;三路选择器用于掌握第一校准模块的下拉校准模式;两路选择器用于导通与校准电阻模块的开关或者与比较器模块的开关;参考电压产生模块用于天生唯一的参考电压,以使校准电阻模块基于参考电压校准第二校准模块的阻抗,使比较器模块根据参考电压校准第一校准模块和第二校准模块的输出电压。本申请能够同时兼容三种模式的高下拉阻抗校准,避免了预校准电路的接入,降落了芯片面积和功耗。
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