长鑫存储取得半导体结构及其制作方法专利降低导电柱与电容结构之间的接触电阻_电容_多个

专利择要显示，本公开供应一种半导体构造及其制作方法，涉及半导体技能领域，用于办理导电柱与电容构造打仗电阻较大的技能问题。
该半导体构造包括：多个导电柱，多个电容构造和功函数调度层。
多个导电柱沿第一方向和第二方向均间隔排布，每个电容构造贯穿沿第一方向位于同一列的多个导电柱，电容构造与相贯穿的导电柱之间形成肖特基打仗，功函数调度层设置在导电柱侧面且与电容构造相对，功函数调度层包括在导电柱侧面依次叠置的氧化物层和多晶硅层，功函数调度层用于降落导电柱的功函数，从而降落导电柱与电容构造之间的肖特基势垒，以降落打仗电阻，提高半导体构造的性能。

本文源自金融界