研发团队展示8英寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆。 九峰山实验室 供图
薄膜铌酸锂因其出色的性能在滤波器、光通讯、量子通信、航空航天等领域均发挥着重要浸染。九峰山实验室工艺中央总经理柳俊先容，由于铌酸锂材料本身的脆性大，大尺寸铌酸锂晶圆的制备工艺一贯是业界的难题。目前，环球对薄膜铌酸锂的研发紧张集中在3英寸、4英寸、6英寸晶圆上，九峰山实验室工艺中央成功研发出首款8英寸硅光薄膜铌酸锂晶圆，冲破了这一技能瓶颈，实现低损耗铌酸锂波导、高带宽电光调制器芯片、高带宽发射器芯片集成。“此项成果由九峰山实验室联合主要家当互助伙伴开拓，在工艺和技能上达到了环球领先，将尽快实现家当商用。”
九峰山实验室。 九峰山实验室 供图
近年来，由于5G通信、大数据、人工智能等行业的强力驱动，光子集成技能得到极大关注。单晶薄膜铌酸锂则为办理光子集成芯片领域长期存在的低传输损耗、高密度集成以及低调制功耗需求供应了至今为止综合性能最优的办理方案。
随着调制速率哀求的提高，薄膜铌酸锂的上风将更加明显，给未来的通信技能带来巨大的潜力。据干系市场研究机构调查报告，估量2025年后，薄膜铌酸锂将逐渐商业化。
长江日报现场看到，除8英寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆外，九峰山实验室还展出了6英寸碳化硅新型沟槽MOSFET晶圆等一系列打破性产品。柳俊先容：“作为湖北十大实验室之一，九峰山实验室拥有业界领先的化合物半导体根本举动步伐，从化合物半导体产品设计、外延成长、流片到测试，供应全链条的一站式做事。”
【编辑：丁翾】
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