存储极客选择了一块东芝120G原厂固态硬盘进行拆解：四核心八通道主控、外置DRAM缓存、原厂闪存颗粒，各方面都是高规格的用料，很快它就要被毁坏性拆解了！
为了方便打磨，存储极客选择了上图中右下角的闪存颗粒入手，打磨棒舞起来！
几下下去闪存颗粒上的字迹就不见了。不同于某些固态硬盘将白片打磨后打上假原厂标，这次存储极客要做的是将真正原厂颗粒打磨到“零件级”，看看颗粒内部到底什么样！
很快颗粒表面的一层封装材料被打磨掉，露出了内部的金属引线。这颗东芝闪存利用的是TSOP封装，而其余一种BGA封装的构造与此又会有很大的不同。
在存储极客的持续摧残下，闪存颗粒开始支离破碎，引线层之下露出通亮的闪存芯片：薄薄的一片，这便是从晶圆中经由层层挑选的、品质最好的原厂闪存。闪存芯片之以是要封装成颗粒利用紧张有3个方面缘故原由：固定引脚系统、保护芯片、增强散热。
这颗编号为TC58TEG7THL的东芝15nm TLC闪存至此被拆解回芯片状态，它采取的是单Die封装，16K Page，单个Die的RAW容量最大18.96GB，拥有多达19%的出厂冗余容量，搭配原厂固件的纠错算法，令15nm TLC闪存可发挥出高达3000次擦写的写入寿命。
文章到这里并没有结束，存储极客还想再谈谈东芝的更高等封装技能——TSV硅通孔技能。上面拆解的闪存颗粒是最大略的情形：一个闪存颗粒内部只有一颗芯片。而为了达到更高容量和更高性能，运用叠Die办法可以在单个闪存颗粒中塞入多颗闪存芯片，并通过引线将其联系起来。
除了前边的引线之外，东芝研发出了针对闪存利用的TSV硅通孔芯片互联技能，可将单个闪存颗粒内的芯片堆叠个数提高到16个！
闪存容量得以翻倍增长，同时性能也得到了提升。
随着3D制程的引入，每个闪存小芯片内部同样是立体堆叠的构造，双重堆叠的结果便是容量的提高与再提高。
如果辅以东芝率先宣告的3D QLC闪存类型，运用TSV技能16Die封装，单颗闪存颗粒容量可以做到1.5TB的新高度！
在指甲盖大小上实现比机器硬盘更大的容量，已经不再是天方夜谭！
而这统统都要感谢东芝在1984年发明闪存，并在过去30多年间持续引领闪存技能的不断发展。
