DW02A产品是单节锂离子/锂聚合物可充电电池组保护的高集成度办理方案。DW02A包括了前辈的功率MOSFET,高精度的电压检测电路和延时电路。
DW02A具有非常小的SOT23-6的封装并且只须要一个外部元器件,这使得该器件非常适宜运用于空间限定得非常小的可充电电池组运用。

DW02A具有过充,过放,过流,短路等所有的电池所需保护功能,并且事情时功耗非常低。
该芯片不仅仅是为手机而设计,也适用于统统须要锂离子或锂聚合物可充电电池永劫光供电的各种信息产品的运用处所。
二、 特点
内部集成等效100mΩ的前辈的功率MOSFET;
SOT23-6 封装;
只须要一个外部电容;
过充电流保护;
3 段过流保护:过放电流 1、过放电流 2(可选)、负载短路电流;
充电器检测功能;
延时时间内部设定;
高精度电压检测;
低静态耗电流:正常事情 5.0uA(范例值);休眠状态不超过 0.1uA;
兼容 ROHS 和无铅标准。
三、 运用
单芯锂离子电池组;
锂聚合物电池组。
图1. 范例运用电路
四、 订货信息
五、 管脚形状及描述
六、 绝对最大额定值
(把稳:为保护器件,不许可超过以下最大额定值,永劫光事情在最大额定值条件下可能会影响产品的可靠性)
七、 电气特性
八、 功能方块图
图 2. 功能方块图
九、 功能描述
DW02A 监控电池的电压和电流,并通过断开充电器或负载,保护单节可充电锂电池不会由于过充电压,过放电压,过放电流以及短路等情形而破坏。这些功能都使可充电电池事情在制订的范围内。
该芯片仅需一颗外接电容,MOSFET已内置,等效电阻范例值为100mΩ。
正常事情模式
如果没有检测到任何非常情形,充电和放电过程都将自由转换。这种情形称为正常事情模式。
过充电压情形
在正常条件下的充电过程中,当电池电压高于过充检测电压(VCU),并持续韶光达到过充电压检测延迟韶光(tCU)或更长,DW02A将掌握MOSFET以停滞充电。这种情形称为过充电压情形。
以下两种情形下,过充电压情形将被开释:
1、当电池电压低于过充解除电压 (VCL), DW02A掌握充电的FET导通,回到正常事情模式下。
2、当连接一个负载并且开始放电, DW02A掌握充电的FET导通回到正常事情模式下。解除机制如下: 接上负载后放电电流急速流过充电FET内部寄生二极管开始放电,BATT-电压升到0.7V, DW02A 检测到这个电压后,当电池电压即是或低于过充检测电压(VCU), DW02A 急速规复到正常事情模式,其余,在接上负载放电时,如果BATT-电压即是或低于过流1检测电压, 芯片也不会规复到正常状态。
注:当电池被充电到超过过充检测电压(VCU) 并且电池电压没有降到过充检测电压 (VCU)以下,纵然 加上一个可以导致过流的重载, 过流1和过流2都不会事情,除非电池电压跌到过充检测电压(VCU)以下。 但是实际上电池是有内阻的,当电池接上一个重载,电池的电压会立即跌落,这时过流1和过流2就会动作。短路保护与电池电压无关。
过放电压情形
在正常放电过程中,当电池电压降到过放检测电压(VDL)以下的时候, 并持续韶光达到过放电压检测延韶光(tDL) 或更长, DW02A将割断电池和负载的连接,停滞放电。这种情形被称为过放电压情形。当掌握放电的FET被关断, BATT- 通过内部BATT-与VDD之间的RBATT-D 电阻被拉到高电平。当 BATT- 电压高于负载短路检测电压, 芯片的耗电流会降到休眠电流 (IPDN)。这种情形被称为休眠情形。在过放和休眠情形 中BATT- 和VDD之间由 RBATT-D电阻连接。当一个充电器连接上并且BATT-和VDD之间电势差变到1.3 V(范例值) 或更高 (负载短路检测电压)时休眠状态解除。这时放电FET仍旧断开。当电池电压变成过放检测电压(VDL) 或更高 (见备注),DW02A 使 FET 导通回到正常事情模式。
备注:当过放情形下的电池接上充电器,如果 BATT- 端电压不低于充电器检测电压 (VCHA), 并且电池电压达到过放解除电压或更高(VDR)过放情形解除(掌握放电的FET导通)。
过放电流情形
正常事情模式下,当放电电流即是或高于设定的值(BATT-电压即是或高于过电流检测电压)并且韶光持续超过过电流检测延时时间时, DW02A关断放电FET停滞放电。这个称为过放电流情形(包括过放电流1,过放电流2和负载短路电流)。过电流情形下BATT-和GND 间内部连接了 RBATT-S 电阻 。当一个负载连接上, BATT-电压即是VDD流过负载电阻后的电压。
根据割断负载等行为,B+和B-之间的阻抗增大至大于即是能够自动规复到正常状态的阻抗,过放电流状态将被解除,回到正常状态。由于BATT-和GND之间连接RBATT-S电阻,当负载断开, BATT- 电压被拉到地电位。当侦测到 BATT-电位低于过流1检测电压(VIOV1),芯片回到正常状态。
不正常充电电流情形
正常充电时,如果BATT- 电压降到充电检测电压以下 (VCHA) ,持续韶光超过过充电压检测延时时间 (tCU) ,DW02A 关断充电FET停滞充电。这就被称为不正常充电电流检测。当放电FET导通并且BATT-电压将到充电检测电压(VCHA)以下时不正常充电电流检测事情。过放电压情形时,当不正常的充电电流流入电池,在电池电压变到过放检测电压并且持续韶光达到过充检测电压延迟韶光(tCU),DW02A关断充电FET停滞充电。
断开充电器,BATT-和GND之间电压低于充电器检测电压(VCHA) 时,不正常充电电流模式解除。由于0V电池充电功能优先级高于不正常电流充电检测,电池电压很低的电池正在进行0V充电时,不正常充电电流检测将不事情。
负载短路情形
如果BATT-电压高于短路保护电压(VSHORT),DW02A将与负载断开停滞放电。 延迟韶光不超过 tSHORT。当BATT-电压高于短路保护电压(VSHORT)时,例如负载被移除,负载短路情形将解除。
延时电路
当过放电流1被检测到,过放电流2和负载短路的检测延时时间就开始打算。一旦测到过放电电流2或者负载短路的韶光超过过放电电流2或负载短路的延迟韶光, DW02A 将停滞放电。
当检测出过放电流,且超出过放检测延迟韶光,这时若电池电压低于过放检测电压,系统将进入休眠状态。若由于过放电流,过放电压降至过放检测电压,DW02A将通过过放电流检测停滞放电。这种情形下,电池电压的规复非常慢,如果在过放电压检测延迟韶光之后,电池电压仍旧低于过放检测,DW02A将转至休眠情形。
图 4. 过电流延迟韶光
十、 事情时序图
1、 过充和过放电压检测
2、 过放电流检测
备注:(1)正常事情状态(2)过充电压状态(3)过放电压状态(4)过流状态
3、 充电器检测
4、 不正常充电电流检测
备注:(1)正常事情状态(2)过充电压状态(3)过放电压状态(4)过电流状态
十一、 范例特性
(除非特殊指出 VBAT=3.6V,TA=25℃)
十二、 范例运用
如图:粗线部分是过大电流线路,必须尽可能的短。去藕电容 C 要离 DW02A 尽可能的近。
把稳:1、把稳输入输出电压和负载电流情形,担保芯片功耗不超过封装所承受的最大功耗。
2、本产品具有防静电保护功能,但不要超过产品最大的承受静电能力。
十三、 封装形状










