本日存储极客就将带你深入到固态硬盘以及闪存的根本知识当中，带你看懂行业\公众黑话\公众，不再一脸懵逼。
Channel：通道
提到一个固态硬盘的通道数量，多数时候说的是闪存通道，但M.2 NVMe固态硬盘会有PCIE通道的参数。我们这里谈的是前者。
闪存通道数量直接反响了固态硬盘的并发读写能力。可以大略理解为马路上有多少条车道，显然通道数量越多，理论性能越好。当然，还有很多影响成分，通道数量只是一个底子。
CE：片选旗子暗记
紧跟闪存通道之后的每每便是CE数量。常常可以在一些固态硬盘评测中看到这样的先容，某某主控支持X通道，每通道支持Y CE。CE是Chip Enable片选的缩写，下图是一个东芝闪存颗粒的逻辑构造，2 Die封装，拥有两个CE旗子暗记。
除了通道可以并行提升吞吐量之外，多CE交错也可以提高固态硬盘性能。主控的闪存通道以及每通道支持的CE数量还会影响它终极能够供应多大的固态硬盘容量。
Package：封装
我们能够看到的一颗闪存便是一个Package封装，它有TSOP或者BGA两种形态，前者的引脚在封装两侧引出，后者则在封装的底部拥有一个球栅阵列。下图是东芝TR200固态硬盘中利用的TSOP封装闪存颗粒。TSOP和BGA本身没有好坏之分，常日在空间足够的情形下利用TSOP，而M.2固态硬盘则大都选择封装密度更高的BGA形态。BGA封装还有一个上风：每个颗粒能支持2个乃至4个闪存通道，而TSOP只能支持1个。
我们在上边看到的玄色颗粒并不是闪存的本来面孔，那只是一到多个芯片通过引线键合或者TSV硅通孔工艺完成连接之后，再用树脂材料封装并引出针脚。而芯片则是从闪存晶圆中摘下的一小片合格晶粒。
俗称的原片便是由原厂检测并封装、打上原厂牌号的高品质颗粒，原厂固态硬盘，比如上面提到的东芝TR200当中利用的便是这种类型的闪存。而白片则是未经原厂认证的不明系统编制闪存芯片封装成的闪存颗粒；黑片是在检测中明确被淘汰的下脚料，被利益熏心的人低价回收后赌人品。
Die：这里并不是去世的意思
Die也被称作LUN（逻辑单元），也是闪存内可实行命令并回报自身状态的最小独立单元。下图是由4个Plane组成两个Die，两个die组成的芯片。
单Die容量是衡量闪存技能前辈性的一个指标。单Die容量越大意味着闪存存储密度越高，做出来的固态硬盘容量也就越大。目前东芝第三代3D TLC闪存已经实现512Gb的单Die容量，如果是QLC类型，则能达到768Gb的水平。
Plane：面
一个闪存Die可以拥有1到多个Plane面。下图是东芝BiCS3闪存的一个512Gb Die，包含了两个256Gb容量的Plane面，总容量512Gb。
Block：块
接下来就到了微不雅观领域，常日是无法直接看到外不雅观的层级。NAND闪存自问世那一刻起就有一个恒定不变的利用哀求：写入（Program）数据前必须前辈行擦除（Erase），而闪存的最小擦除单位便是Block块。
Page：页
每个Block都是由数百乃是数千个Page页组成的，而Page的意义也非比平凡，它是闪存当中能够读取合写入的最小单位。当前闪存的一个Page常日是16KB，如果你须要读取512字节的数据，那在闪存层面上就必须把包含这512字节数据的全体Page页内容全部读出（实际发生的读取16KB）。
Cell：单元
每个16KB的Page页又是由大量的Cell单元构成。Cell是闪存的最小事情单位，实行数据存储的任务。闪存根据每个单元内可存储的数据量分成SLC（1bit/Cell）、MLC（2bit/Cell）、TLC（3bit/Cell）和QLC（4bit/Cell），本钱依次降落，容量依次增大，耐用度也依次降落。目前3D TLC是闪存的主力类型，优质的原厂闪存合营具备LDPC纠错的主控，可以实现3000次旁边的擦写寿命，与过去2D平面MLC闪存靠近。
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