长鑫存储申请半导体结构专利增加存储芯片的堆叠层数提高半导体结构的机能_所述_芯片

专利择要显示，本公开履行例涉及半导体领域，供应一种半导体构造、半导体构造的制造方法和半导体器件，半导体构造包括：逻辑芯片，具有第一无线通信部；多个存储模块，沿第一方向堆叠在所述逻辑芯片的上表面，所述第一方向平行于所述逻辑芯片的上表面；第一胶膜，位于相邻所述存储模块之间，且与所述存储模块粘接；所述存储模块包括多个在第一方向堆叠的存储芯片，所述存储芯片具有第二无线通信部，所述第二无线通信部与所述第一无线通信部进行无线通信；多个所述存储芯片中的至少一者具有供电布线层，所述供电布线层沿着所述存储芯片的有源面向所述逻辑芯片延伸。
本公开履行例至少可以增加存储芯片的堆叠层数，且提高半导体构造的性能。

本文源自金融界