▌芯片制造时的量测可分为三类：物理量测，毛病检测，毛病复检。
▌物理量测
1.膜厚丈量THK（Thickness）。
2.利用光学方法丈量CD（关键尺寸）。
3.层与层之间的套刻量测OVL(Overlay)。
4.其他:Wafer的其他基体指标，例如：厚度，波折翘曲（Bow/Warp），1D/2D stress，晶圆描述Profiler，四点探针测电阻RS，XPS测dose含量等，AFM（原子力显微镜）/Metal plus（超声波）测台阶高度（Step Height）等。
▌毛病检测
1.无图形UnPattern毛病检测
2.有图像Pattern毛病检测
3.掩模版Reticle毛病检测
▌毛病复检
1.显微镜复检
2.扫描电镜复检(SEM)
▌我们常常在工艺流程中须要量测膜(Film)厚，芯片制造中的薄膜大概分为以下种别：
二氧化硅SIO2膜，氮化硅SIN膜，
多晶硅Poly Silicon膜，金属膜Metal Film膜，SI外延层EPI，
这些薄膜最大的特点是便是厚度都小于UM，肉眼看不到，以是我们得利用仪器进入微不雅观天下去检测。
▌量测的目的：通过量测数据反过来掌握薄膜层(Film)的精度。
半导体薄膜层(Film)具有绝缘、抗堕落性强，导电等浸染，一样平常作为掺杂阻挡层，表面绝缘层，表面钝化层，绝缘介质和导电层，器件层等，对付厚度都有特殊的哀求，以是须要精确得掌握。
一样平常的流程都是：长薄膜层(Film)-->量测-->根据量测数据调度制程参数-->再次长膜(Film)-->再次量测-->薄膜层(Film)厚度稳定。
▌量测的方法紧张有三类：比色法，干涉条纹法，椭偏仪法
▌1.比色法：通过薄膜层高下表面的两束光的反射，比较色差来确认膜厚是多少。
当薄膜层变的越来越厚时，晶圆的颜色就会按照一个特定的顺序进行变革，且不断地重复，将每一个颜色的重复称之为一个顺序。
▌2.干涉条纹法
紧张指的是根据彩色条纹的颜色变革规律，然后根据表查询求得薄膜层的厚度。
a.在白光下的丈量
b.在单色光下的丈量
▌3.椭偏仪法
▌事理：
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