子宫内膜容受性芯片（ERA）与反复植入失落败（RIF）_内膜_更改

RIF的一个可能机制是内膜容受性的改变。
容受性的改变之一可能涉及（might involve）植入窗韶光的变动（shift in timing of the window of implantation,WOI），而以前认为所有女性的植入窗韶光是一样的（不存在变动）。

许多不同基因的调节和调节非常关联着内膜植入窗的变革（are implicated in the changes）。

有作者基于RIF女性的238个基因，利用子宫内膜容受性芯片（ERA）确定植入窗变革。
25%病人的植入窗发生变动，一旦他们的移植韶光根据ERA得到的个人数据进行改变，植入率就升高到有正常WOI的容受性内膜女性一样高的植入率。