CYPRESS供应全面的铁电RAM非易失落性存储器产品组合，可在断电时立即捕获和保存关键数据。在关键任务数据记录运用中，例如须要高可靠性掌握和吞吐量的工厂车间的高性能可编程逻辑掌握器 (PLC)，或以低功耗设计的植入人体的增强生命的患者监护设备，小尺寸内存，赛普拉斯FRAM 供应即时非易失落性和险些无限的耐用性，而不会影响速率或能源效率。本篇文章先容64Kbit非易失落性铁电存储器FM25640B。 功能解释FM25640B是一款采取前辈铁电工艺的64Kbit非易失落性铁电存储器。铁电随机存取存储器或FRAM是非易失落性的，实行类似于RAM的读取和写入。它供应151年的可靠数据保留，同时肃清由串行闪存、EEPROM和其他非易失落性存储器引起的繁芜性、开销和系统级可靠性问题。 与串行闪存和EEPROM不同，FM25640B以总线速率实行写操作。不会产生写入延迟。每个字节成功传输到设备后，数据立即写入存储器阵列。无需数据轮询即可开始下一个总线周期。此外，与其他非易失落性存储器比较，该产品供应了可不雅观的写入耐久性。FM25640B能够支持1014个读/写周期，或比EEPROM多1亿倍的写周期。 这些功能使FM25640B非常适宜须要频繁或快速写入得非易失落性存储器运用。示例范围从数据网络（个中写入周期数可能至关主要）到哀求苛刻的工业掌握（个中串行闪存或EEPROM的长写入韶光可能导致数据丢失）。 FM25640B为串行EEPROM或闪存作为硬件替代品的用户供应了巨大的好处。FM25640B采取高速SPI总线，增强了FRAM技能的高速写入能力。器件规格在–40℃至+85℃的工业温度范围内得到担保。 特色64-Kbit铁电随机存取存储器(FRAM)逻辑上组织为8K×8❐高续航100万亿（1014）读/写❐151年的数据保留期❐NoDelay™写入❐前辈的高可靠性铁电工艺非常快速的串行外设接口(SPI)❐高达20MHz的频率❐串行闪存和EEPROM的直接硬件改换❐支持SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)完善的写保护方案❐利用写保护(WP)引脚的硬件保护❐利用写禁用指令的软件保护❐针对1/4、1/2或全体阵列的软件块保护低功耗❐250μA1MHz时的有功电流❐4μA（范例值）待机电流电压操作：VDD=4.5V至5.5V工业温度：–40℃至+85℃8引脚小形状集成电路(SOIC)封装符合有害物质限定(RoHS) 功能概述FM25640B是串行FRAM存储器。存储器阵列在逻辑上组织为8K×8位，并利用行业标准串行外设接口(SPI)总线进行访问。FRAM的功能操作类似于串行闪存和串行EEPROM。FM25640B与具有相同引脚排列的串行闪存或EEPROM之间的紧张差异在于FRAM的卓越写入性能、高耐用性和低功耗。 内存架构访问FM25640B时，用户寻址8K个位置，每个位置8个数据位。这八个数据位串行移入或移出。这些地址利用SPI协议访问，该协议包括芯片选择（许可总线上的多个设备）、操作码和两字节地址。地址范围的高3位是“无关”值。13位的完全地址唯一地指定了每个字节的地址。 FM25640B的大多数功能要么由SPI接口掌握，要么由板载电路处理。存储器操作的访问韶光基本上为零，超出了串行协议所需的韶光。即以SPI总线的速率读取或写入存储器。与串行闪存或EEPROM不同，由于写入因此总线速率进行的，因此无需轮询设备是否处于就绪状态。当一个新的总线事务可以转移到设备中时，写操作就完成了。这在接口部分有更详细的阐明。 FM25640B除了一个大略的内部上电复位电路外，不包含任何电源管理电路。用户有任务确保VDD在数据表容差范围内，以防止缺点操作。建议不要在芯片使能激活的情形下关断器件。 串行外设接口-SPI总线FM25640B是SPI从设备，运行速率高达20MHz。这种高速串行总线为SPI主设备供应高性能串行通信。许多常见的微掌握用具有许可直接接口的硬件SPI端口。对付没有的微掌握器，利用普通端口引脚仿照端口非常大略。
