产品聚焦
· 基于25nm技能的DDR3 DRAM 进入量产
· 4Gb DDR4 DRAM 正在送样
· LPDDR4/4X DRAM正在送样
· 支持ECC的4Gb DDR3正在送样
· 为嵌入式运用供应长生命周期的SLC NAND产品
· 256Mb Octal RAM正在送样
参考设计
4Gb DDR3及512Mb SPI NOR Flash被ADI的ADZS-21569-EZKIT开拓板采取
512Mb SPI NOR Flash被SiFive’s HiFive参考板选用
ISSI的LPDDR2及SPI NOR Flash被MobilEye EyeQ3®用于参考设计
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产品聚焦
基于25nm技能的DDR3 DRAM 进入量产
采取25nm制程节点的DDR3/DDR3L已经进入量产阶段，先量产的容量为8Gb、4Gb、2Gb、1Gb，随着16Gb产品即将量产，ISSI已经可以全面供应25nm制程的DDR3产品。
8Gb DDR3(IS43/46TR16512B/BL 及 IS43/46TR81024B/BL)量产
4Gb DDR3(IS43/46TR16256B/BL 及 IS43/46TR85120B/BL)量产
2Gb DDR3(IS43/46TR16128D/DL 及 IS43/46TR82560D/DL)量产
1Gb DDR3(IS43/46TR16640C/CL 及 IS43/46TR81280C/CL)量产
16Gb DDR3(IS43/46TR16K01S2A/AL)即将量产
推进新制程的同时，ISSI也确保30nm制程产品的持续供货，以支持客户生产的连续性，兑现长周期供货承诺。
4Gb DDR4 DRAM 正在送样
ISSI的4Gb DDR4正在送样，可以供应商业级、工业级及车规级产品，目前可以供应x16位宽;x8位宽估量2020年一季度送样。8Gb DDR4产品估量2020年初送样。DDR4详细料号及操持为：
4Gb DDR4 x16 (IS43/46QR16256B) 送样中，2020年初量产
4Gb DDR4 x8 (IS43/46QR85120B) 2020, Q1送样
8Gb DDR4 x16 (IS43/46QR16512A) 2020, Q1送样
8Gb DDR4 x8 (IS43/46QR81024A) 2020, Q1送样
LPDDR4/4X DRAM正在送样
ISSI的2Gb/4Gb/8Gb LPDDR4均可送样，可供应x16或x32选项。并且可以供应LPDDR4X及支持On-Chip ECC的版本，详细料号如下：
2Gb LPDDR4 x16 (IS43/46LQ16128A) 送样中
4Gb LPDDR4 x16 (IS43/46LQ16256A) 送样中
4Gb LPDDR4 x32 (IS43/46LQ32128A) 送样中
8Gb LPDDR4 x32 (IS43/46LQ32256A) 送样中
4Gb LPDDR4X x32 (IS43/46LQ32128AL) 送样中
4Gb ECC LPDDR4 x32 (IS43/46LQ32128EA) 送样中
8Gb ECC LPDDR4 x32 (IS43/46LQ32256EA) 送样中
4Gb 支持ECC的DDR3正在送样
ISSI创新的、带有片内ECC功能的4Gb DDR3正在送样。ISSI的ECC DDR3完备兼容通用的、基于JEDEC的JESD-79标准开拓的DDR3/DDR3L产品， ECC功能完备由芯片内部单元及逻辑电路实现，可侦测及纠正bit error/位出错，客户不须要做任何硬件或软件的改动即可采取,系统的数据完全性因此而得到极大程度的提升。该产品规格完好，可供应8/16 bit位宽、1.35V/1.5V电压、工业及车规级选项。
传统的系统级ECC办理方案是通过单独的ECC通道及DRAM颗粒，用于存储及规复ECC编码，也称作‘sideban ECC’. 由于ECC通道的DRAM是独立的，这就须要增加8bit的数据线来实现，占用一定的引脚资源及PCB空间。在写入及读出时须要MPU或SOC来编解码来实现ECC功能，但是现实情形是很多主芯片并不供应ECC通道，或者由于带宽及性能的局限导致这种ECC方案难以实现，这种情形下ISSI的内置ECC功能的DDR3就会是一个空想的选择，ECC DDR3将会极大程度的提升数据完全性，进而提升全体系统的可靠性，非常适宜高可靠性及安全干系的运用，帮助系统实现IS26262所定义的功能安全。
产品详情可访问：
http://www.issi.com/US/newsletter/Issue79_Apr_2019/Solutions_from_ISSI-ECC.pdf
ISSI为嵌入式市场供应长生命周期的SLC NAND产品
比较MLC、TLC及QLC NAND，SLC NAND是最可靠的NAND Flash，它支持更多的擦写次数、及更高的事情温度，只须要1或4bit的ECC。这种Flash虽然有很多优点，但是市场需求比较其他类型的NAND会小，因此专注消费类市场的供应商已经逐渐停滞供应这种产品，转而聚焦于需求更大的MLC、TLC及QLC产品，这类产品无论在容量、事情温度、耐用性还是存储密度上都与嵌入式市场的需求存在巨大差异。ISSI专注于做事汽车及工业医疗等嵌入式产品市场，为所有的产品均方案了更长的生命周期，可以为嵌入式运用的客户长期稳定的供应1-4Gb的SLC NAND产品，包括1bit及4bit ECC的产品，可供应-40～105度的车规级产品。
ISSI 256Mb Octal RAM正在送样
ISSI最新开拓的Octal RAM是基于DRAM存储技能开拓的、采取Octal BUS作为I/O接口的一种新型存储器，该产品具有容量大、带宽高、引脚少的优点，并可供应车规等级产品。
该产品内置了繁芜的DRAM刷新及时序逻辑掌握电路，只须要11个引脚即可实现高达400MB/s的带宽;容量达到256Mb，远超传统SRAM容量。少引脚设计降落了对主芯片的哀求，也降落了系统级设计的繁芜度，可用于汽车电子、IOT、可穿着设备等多种运用处景。
参考设计
4Gb DDR3及512Mb SPI NOR Flash被ADI的ADZS-21569-EZKIT用于参考设计
EZ-KIT是为了展示ADSP-21569处理器而设计的，该板支持高达1GHz的时钟频率。开拓板集成了丰富的外围接口，并采取了ISSI的4Gb DDR3及512Mb SPI NOR Flash。ADSP-2156x 系列(ADSP-21562 / 21563 / 21565 / 21566 / 21567 / 21569)是下一代支持RISC-like编程能力、多媒体及前沿旗子暗记处理能力的SOC。该处理器旨在为汽车及专业消费者供应沉浸式音乐体验，瞄准对实时性有严格哀求的运用处景，包括身临其境的3D环抱及独立个人音频区域，并可用于汽车音响系统来实现主动降噪及道路降噪(ANC/RNC);基于语音的用户界面和车载通信(AEC/NR和麦克风波束形成)，发动机声音合成(ESS)和电动汽车报警声音系统(EVWSS/AVAS)。其他的运用还包括专业音响和soundbars / home AVR(与3D工具和多通道音频)。
除了开拓板上4Gb DDR3及512Mb SPI NOR Flash，ISSI可供应1Gb-16Gb容量的DDR3及256Kb-1Gb的SPI NOR Flash来知足差异化的运用需
SPI NOR Flash被SiFive’s HiFive Rev 1.B01 参考板选用
SiFive已经完成了ISSI’s 32Mb serial NOR flash (IS25LP032D-JBLE)在 HiFive Rev 1.B 参考板上的测试，SiFive是硅谷开拓基于Silicon-Proven IP Cores based on RISC-V ISA的新创公司。RISC-V基金会是一个非盈利组织，成立于2015年8月，旨在公开管理RISC-V ISA(指令集架构)。RISC-V ISA适用于所有类型的打算系统，从微掌握器到超级打算机。
ISSI的LPDDR2及SPI NOR Flash被MobilEye EyeQ3®用于参考设计
ISSI的1Gb LPDDR2及128/256/512Mb SPI NOR Flash已经被设计到MobiEye的EyeQ3®平台。该平台是EyeQ®家族第三代产品，平台基于单目视觉输入信息，实现Level 2自动驾驶等级。
ISSI干系产品料号：
1Gb LPDDR2: IS46LD32320C-18BLA2
128Mb SPI NOR Fash： IS25LP128F-JHLA3
256Mb SPI NOR Fash： IS25LP256D-JHLA3
512Mb SPI NOR Fash： IS25LP512M-JHLA3
任何产品及技能方面问题，欢迎访问ISSI网站：www.issi.com或联系ISSI当地发卖及代理商。
声明：本文由芯成半导体供稿，本"大众年夜众号对文中陈述、不雅观点保持中立。
