国星光电申请超薄LED芯片制备方法专利知足LED芯片发光光效要求且知足小型化尺寸_芯片_所述

专利择要显示，本发明公开了一种超薄LED芯片的制备方法及超薄LED芯片，所述超薄LED芯片的制备方法包括：对外延片去除衬底，并在所述外延片的电流扩展层或N‑GaN层粘接复合型荧光材料载体，得到初始芯片；对初始芯片进行刻蚀，袒露出外延片的P‑GaN层和N‑GaN层；在所述P‑GaN层或电流扩展层上制备金属P电极，在所述N‑GaN层上制备金属N电极，在初始芯片上形成电极区域；在所述电极区域上覆盖钝化层，且在所述钝化层上袒露出所述金属P电极和所述金属N电极；对初始芯片进行划片，得到超薄LED芯片。
通过采取复合型荧光材料载体作为LED芯片的衬底，知足LED芯片不同光色的发光光效哀求，同时知足小型化尺寸哀求。

本文源自金融界