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虽然三星在本周三表示，由于环球经济增长缓慢以及数据中央和消费市场对内存产品的需求不再强烈，内存芯片业务的增长会极其困难，但三星依旧没有停下探索内存芯片制造工艺的步伐。
3月20日，三星电子宣告已开拓出了第三代10nm级（1z-nm）的8GB DDR4 DRAM芯片，在业界内首次达到了这个成绩。此时间隔三星大规模生产第二代10nm级（1y-nm）8GB DDR4 DRAM芯片仅仅过去了16个月，可见三星在芯片研发上的效率。
根据三星给出的信息，第三代DDR4 DRAM也便是1z-nm级，比较此前的1y-nm在生产效率上有了20%的提升，更随意马虎知足市场对内存芯片的需求。并且工艺的进步也会带来效能的提升，同样的存储体积下，1z-nm能实现更优的耗电和实行效率。
三星电子估量，采取1z-nm工艺制造的第三代8GB DDR4 DRAM芯片将从2019年下半年开始大规模生产，有望适用于未来2020年生产的下一代做事器和高端PC产品。
当前的内存芯片规格除了PC上主流的DDR4之外，还有DDR5、LPDDR5和GDDR6等等。三星认为在DDR4上成功利用的1z-nm工艺，为拓展到其他规格上打下了根本，今后我们有望在更多的内存产品上见到1z-nm工艺的运用。
小雷（微信：leitech）看来，内存产品在前几年的涨价潮流之后，近几年价格又由于产能大于需求开始逐步下滑，对付消费者来说更加友好。不过在消费级领域，内存的容量已经开始有了结束的征象，无论是运用还是硬件规格上，消费者们购买内存的激情亲切不如以前。
厂商想要在价格更高的情形下也能拥有不错的发卖成绩，就得拿出有明显优胜卖点的产品来刺激消费者，带来更大的内存和更加精良的速率表现，或许是不错的办法。
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