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专利择要显示,本发明涉及用于形成多维集成芯片构造的方法。在一些履行例中,方法可以通过将第二衬底接合至第一衬底的上表面来履行。第一边缘修整切割沿第一环路履行,并且延伸至第二衬底的第一外围部分中。第二边缘修整切割沿第二环路履行,并且延伸至第二衬底的第二外围部分中并且延伸至第一衬底中。第三边缘修整切割沿第三环路履行,并且延伸至第一衬底的第三外围部分中。本申请的履行例还涉及多维集成芯片构造。
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