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专利择要显示,本申请的履行例供应了一种抑制功率放大器芯片自激的封装构造,涉及毫米波芯片技能领域,所述封装构造包括:功率放大器芯片和金属封装壳体;所述金属封装壳体设置有抑制自激腔体,所述功率放大器芯片放置在所述抑制自激腔体中;个中,所述抑制自激腔体的表里面设置有凹凸不平的凹凸层。本申请供应的技能方案可降落功率放大器芯片封装过程中的自激风险,具有构造大略、实用性强等优点,在毫米波频段具有广泛的运用代价。
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