两版本iPhone7 Plus在LTE频段4时的测试结果(图片引自Celluar Insights)
在iPhone7和iPhone7 Plus中,苹果选择两个LTE芯片供应商:高通和英特尔;型号为A1778和A1784的iPhone7利用支持GSM的英特尔XMM7360芯片,而型号为A1660和A1661的iPhone7利用GSM/CDMA的高通MDM9645M芯片;近日,独立测试机构Celluar Insights对配备两种LTE模块的iPhone7展开旗子暗记性能测试,除了测试支持的网络运营商之外,旗子暗记强弱也被加入到这次的测试当中。
两版本iPhone7 Plus在LTE频段12时的测试结果(图片引自Celluar Insights)

测试结果显示,两个版本的iPhone7 Plus在空想的旗子暗记情形下,性能表现相差不多。不过但功率上升时,英特尔芯片的性能快速低落,高通的芯片性能要比英特尔芯片高30%。当旗子暗记强度不断增加时,高通芯片可以坚持比英特尔芯片更高的吞吐量,也便是说高通LTE芯片会在旗子暗记弱的环境下供应更好的性能。在多款机型测试中,配备英特尔芯片的iPhone7 Plus是表现最差的智好手机。
在LTE频段4时,多款机型旗子暗记测试成绩(图片引自Celluar Insights)
涌现这样的结果,不能说不明显。这对付很多消费者来说,很可能在不知情的情形下花费了高昂的价格却买了一个性能较差的iPhone7;作为环球最为人瞩目的手机产品,苹果公司品控严格的传统或将再次面临寻衅。