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DIY玩家该当知道内存、闪存各自的优缺陷——内存速率极快,但是断电就会丢失数据,而且本钱昂贵,闪存的延迟比内存高一个量级,但好处便是能保存数据,同时本钱更低,以是业界一贯在探求能同时具备内存、闪存优点的存储芯片,也便是能保存数据的同时具备极快的速率。
英特尔研发的3D XPoint闪存就有类似的特性, 号称性能是闪存的1000倍,耐用性是闪存的1000倍,前面新闻提到的PCM相变存储也是类似的技能,能够在断电时保存数据同时性能类似内存,只不过这些新型存储芯片现在还没有达到内存、闪存这样成熟的地步。
中国学者研发的存储芯片也是这个方向的,根据他们揭橥在《自然·纳米技能》杂志上的论文来看,他们研发的存储芯片利用的不是传统芯片的场效应管事理,由于后者在物理尺寸逐渐缩小的情形下会碰着量子效应滋扰,以是张卫、周鹏团队利用的是半浮栅极(semi-floating gate)晶体管技能,他们据此展示一种具有范德·瓦尔斯异质构造的近非易失落性半浮栅极构造,这种新型的存储芯片具备精良的性能及耐用性。
详细来说,与DRAM内存比较,它的数据刷新韶光是前者的156倍,也便是能保存更永劫光的数据,同时具备纳秒(ns)级的写入速率(NAND闪存的延迟一样平常在毫秒级),与传统二维材料比较其速率快了100万倍。,以是这种新型内存有望缩小传统内存与闪存之间的差距。
当然,这个技能进展还是很不错的,只是别指望技能很快量产,更不可能在未来两三年内进入市场,但凡同时具备DRAM、NAND优点的新型存储芯片都有这个问题,并没有成熟到量产上市的地步,传统内存、闪存还有很长的寿命。
