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弁言
通用MCU或DSP的IO电压常日是5V\3.3V，IO的电流输出能力在20MA以下，不敷以直接驱动功率MOSFET。以是利用通用MCU或DSP来设计电机驱动器时，常日须要搭配外部的MOSFET驱动器，我们称之为“预驱”。在设计汽车风机、水泵、油泵等电机驱动掌握器时，利用车规MCU+车规预驱+车规N沟道功率MOSFET，可以适配不同功率、各种通信办法和各种驱动办法。
掌握器中的功率MOS驱动
如上图，三相直流无刷电机（包括BLDC和PMSM）功率级驱动电路利用6个N沟道功率MOS构成三相全桥，分为三个连接到电源正极（VBus）的高边MOS和三个连接到电源负极的低边MOS。掌握器通过掌握六个MOS的通断，完成换相，使电机按照预期迁徙改变。电机在运转过程中可能会碰着堵转而导致过流，因此MOS驱动电路须要具有保护功能，以防止烧坏掌握器或电机。
对付单个NMOS来说，在开通时，须要供应瞬间大电流向MOS内的寄生电容充电，栅源电压（VGS）达到一定阈值后，MOS才能完备开通。在MOS开通后，还须要坚持得当的栅源电压（VGS），才可以保持开通状态。
对付低边MOS，其源极（S）接到电源负极，栅源电压随意马虎知足，驱动较大略。
对付高边MOS，其源极（S）接到电机相线，其电压是不愿定的，如果须要开通，须要通过自举电路供应栅极电压，驱动较繁芜。
一样平常情形下，MOS的导通内阻都如上图所示，随着VGS的增大而降落，但VGS大于10V之后，低落曲线变得平缓。为了达到最小的导通电阻(RDSON)，VGS的取值常日为10~15V。
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