不过虽然3nm芯片是量产了，但坦白说，却量产了个寂寞，由于没有看到任何一颗量产的3nm芯片推出来，也没有任何一颗3nm与4nm或5nm芯片的比较测试。
不过三星也表示过，3nm芯片性能比5nm提高23%，芯片尺寸缩小16%，同时由于采取了GAA晶体管技能，以是栅极电压降落了，泄电流减少了，功耗低了。
但让人没有想到的是，在经由了这么快一年之后，三星的第一代3nm工艺都还没整明白，究竟谁用了，有没有客户，订单多少都不清楚的情形下，近日又推出了第二代工艺。
这次第二代工艺又有重大打破，这是不再是原来的GAA晶体管技能了，而是采取了更为前辈的MBCFET晶体管技能（也属于GAA"Gate-all-around"环抱栅极的一种），在第一代的GAA上又进一步优化了。
这次三星比较的不再是5nm芯片了，而是4nm芯片了，三星称第二代3nm工艺性能将比目前的4nm制程（SF4）快22%，能效可提高34%，芯片尺寸也将缩减21%。
要知道台积电的3nm技能，一贯采取的是FinFET晶体管技能，意思便是三星的这一代3nm工艺，可以说已经是领先了台积电两代？
三星称，第二代3nm制程将在2024年与台积电的前辈制程技能上展开竞争，意思便是这种技能，目前还只是亮个相，暂时不会大规模量产，真正要大规模量产，可能要到2024年去了。
事实上，三星发布了第一代3nm工艺后，外界就质疑三星的3nm工艺究竟行弗成，由于媒体一贯宣布称，三星的工艺良率弗成，从5nm开始就非常低了，而3nm工艺可能只有20-30%。
这种良率下，IC厂都不敢找三星下单，之前高通在4nm时转单台积电便是一个最好的例子，以是三星的3nm，也没有客户，以是我们也没看到谁推出了采取三星3nm工艺的芯片。
但如今三星再推第二代工艺，不知道这次在良率上有没有改进，如果用这种良率与台积电竞争，那还是比较困难的。
