答： 由于它有有效半径哦，放的远了失落效的。
电容去耦的一个主要问题是电容的去耦半径。大多数资料中都会提到电容摆放要只管即便靠近芯片，多数资料都是从减小回路电感的角度来谈这个摆放间隔问题。确实，减小电感是一个主要缘故原由，但是还有一个主要的缘故原由大多数资料都没有提及，那便是电容去耦半径问题。如果电容摆放离芯片过远，超出了它的去耦半径，电容将失落去它的去耦的浸染。
理解去耦半径最好的办法便是稽核噪声源和电容补偿电流之间的相位关系。当芯片对电流的需求发生变革时，会在电源平面的一个很小的局部区域内产生电压扰动，电容要补偿这一电流(或电压)，就必须先感知到这个电压扰动。旗子暗记在介质中传播须要一定的韶光，因此从发生局部电压扰动到电容感知到这一扰动之间有一个韶光延迟。同样，电容的补偿电流到达扰动区也须要一个延迟。因此一定造成噪声源和电容补偿电流之间的相位上的不一致。
特定的电容，对与它自谐振频率相同的噪声补偿效果最好，我们以这个频率来衡量这种相位关系。设自谐振频率为f，对应波长为，补偿电流表达式可写为：
个中，A是电流幅度，R为须要补偿的区域到电容的间隔，C为旗子暗记传播速率。
当扰动区到电容的间隔达到时，补偿电流的相位为，和噪声源相位刚好差180度，即完备反相。此时补偿电流不中兴浸染，去耦浸染失落效，补偿的能量无法及时投递。为了能有效通报补偿能量，应使噪声源和补偿电流的相位差尽可能的小，最好是同相位的。间隔越近，相位差越小，补偿能量通报越多，如果间隔为0，则补偿能量百分之百通报到扰动区。这就哀求噪声源间隔电容尽可能的近，要远小于。实际运用中，这一间隔最好掌握在<!--[endif]-->之间，这是一个履历数据。
例如：0.001uF陶瓷电容，如果安装到电路板上后总的寄生电感为1.6nH，那么其安装后的谐振频率为125.8MHz，谐振周期为7.95ps。假设旗子暗记在电路板上的传播速率为166ps/inch，则波长为47.9英寸。电容去耦半径为47.9/50=0.958英寸，大约即是2.4厘米。
本例中的电容只能对它周围2.4厘米范围内的电源噪声进行补偿，即它的去耦半径2.4厘米。不同的电容，谐振频率不同，去耦半径也不同。对付大电容，由于其谐振频率很低，对应的波长非常长，因而去耦半径很大，这也是为什么我们不太关注大电容在电路板上放置位置的缘故原由。对付小电容，因去耦半径很小，应尽可能的靠近须要去耦的芯片，这正是大多数资料上都会反复强调的，小电容要尽可能近的靠近芯片放置。
