运用LPCVD工艺产生Poly_单晶硅_导电性

▌单晶硅：指的是具有准金属的物理性子，但是导电性较弱，其电导率会随着温度的升高而增加；特点便是半导电性。
超纯的单晶硅是本征半导体。
在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素，如硼，则形成了可导电的P型硅半导体；如掺入微量的ⅤA族元素，如磷或砷，则形成了可导电的N型硅半导体。

▌多晶硅：指的是具有灰色金属光泽(其密度：2.32~2.34g/cm3，熔点：1410℃，沸点：2355℃），溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，但不溶于水、硝酸和盐酸中。
硬度在锗和石英之间，室温下较脆，切割时易碎。
加热至800℃以上便有延性，1300℃时会明显变形。
常温下不活泼，高温下易与氧、氮、硫等反应。
具有半导体的特性，是极为主要的半导体材料，微量的杂质即可显著的提高其导电性。

▌硅按构造分类为无定形硅，单晶硅和多晶硅。

无定形硅：非晶体构造的硅。

单晶硅：由单一的晶体构造按照一定的规则排列形成。

多晶硅：由相同构造的很多小晶粒无规则的堆积形成。

▌LPCVD工艺内紧张的化学反应。

硅烷干系

SiH4 + Surface Site --> SiH4(吸附)

SiH4(吸附) --> SiH2(吸附) + H2↑

SiH2(吸附的原子) --> Si + H2↑

磷化氢干系

PH3 --> P(吸附) + 3H↑

▌根据反应温度不同和是否有杂质分文以下四种类型的 Poly

Amorphous Poly，Poly-Si，Flat-Poly-Si，D-Poly-Si。

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