內存堆叠高度受限三星称16层及以上HBM需采用混淆键合技能_芯片_高度

据理解，稠浊键合是下一代封装技能，目的是芯片透过硅穿孔（TSV）或微型铜线进行垂直堆叠时，中间没有凸点。
韩媒The Elec指出，由于是直接堆叠，以是稠浊键合也称为“直接键合”。

与目前三星所利用的热压焊接（TC）比较，Hybrid bonding可焊接更多芯片堆叠，坚持更低的堆叠高度并提高热排放效率。
三星指出，降落高度是采取稠浊键合的主因，內存高度限定在775微米内，在这高度中须封装17个芯片（即一个基底芯片和16个核心芯片），因此缩小芯片间的间隙，是內存大厂必须战胜的问题。

最开始DRAM大厂操持尽可能减少核心芯片的厚度，或者减少凸点间距，但除稠浊键合外，这两种方法都已达极限。
知情人士透露，很难将核心芯片做得比30微米更薄。
由于凸点具有体积，通过凸块连接芯片会有一定局限性。

三星4月利用子公司Semes的稠浊键合设备制作了16层的HBM样品，并表示芯片运作正常。
目前贝思半导体（BESI）和韩华精密机器（Hanwha Precision Machinery）也在开拓稠浊键合设备。
传闻三星操持在2025年制造出16层堆叠的HBM4样品，并于2026年量产。

编辑：芯智讯-浪客剑