从上一节我们知道，这里面一些电阻是跟环路干系的。不过在设计的时候，我们首先须要担保的不是环路，而是这个电路能不能事情起来，也便是说要给TL431得当的偏置。这个该当很随意马虎理解吧，类似三极管放大，条件也是要给对直流偏置。
TL431事情条件条件
TL431事情紧张有下面几点哀求（以Ti的TL431C为例）：
1、Vka＞2.5V，Vka<36V
2、Ika>1mA，Ika<100mA，Iled<50mA
3、I分压电阻电流>100Iref
那么这几个哀求咋来的呢？
Ika，Vka可以直接从手册中看出来
不过手册中Vka只写了电压上限，那么我说的Vka＞2.5V怎么来的呢？
实在可以从TL431内部框图（规格书中有）中看出来，正常事情时，下面这个管子事情在了放大区，那么图中所示的三极管的集电极电压要比基极电压要大，即Cathode的电压要比Vref的电压要高，我们知道事情的时候Vref=2.5V，以是就有了Vka>2.5V。（Vka便是Cathode和Anode之间的电压）
Ika<100mA好理解，芯片电流大了，一定会发热，因此必须有个上限，像这种sot23封装的，电流上限一样平常也就在这个级别。
Ika>1mA，这是由于TL431事情时要知足静态偏置电流，这是其事情的条件。详细缘故原由在我们前面的章节“TL431稳压是如何做到和温度基本无关的”里面有说。
Iled<50mA，Iled指的是光耦的电流，以PC817为例，发光管最大电流为50mA。
那么I分压电阻电流>100Iref呢？
一样平常我们输出电压是由分压比决定的，便是R1/Rlower，输出电压的打算公式是Vout=2.5V（1+R1/RLower），可以看出，这是将Iref忽略掉了。要想能忽略掉Iref，那么就须要Iref<<Ilower，一样平常便是按照100倍来的，也便是Ilower>100Ilower。
首先，看Rlower的大小
根据ILow＞100Iref，一样平常普通Iref为2uA，因此Ilow>0.2mA。Rlower一头接GND，其余一头是Vref电压，为2.5V，以是Rlower两端电压是2.5V，电流是I=2.5V/Rlower>0.2mA，以是Rlower<12.5K。
不过我们须要知道，Rlower越小，那么电流也就越大，功耗越高，很多产品都对静态功耗有哀求，因此Rlower须要只管即便选大一点的阻值，以是常规都是10K旁边的阻值。如果追求极致的功耗，希望进一步减小偏置电路的功耗，也可以选择静态电流小的TL431，比如我看到ti有Iref=0.03uA的低静态电流ATL431。
其次，R1的取值
选定Rlower后，根据目标输出电压Vout，有公式，Vout=2.5V（1+R1/RLower），就可以打算R1的值了。
Rbias的取值
Rbias的取值是根据条件Ika>1mA来的，偏置电阻Rbias的目的是为了给TL431足够的静态电流Ika，Ika=Iled+Irbias（注：Zc这个网络里面是有电容隔直的，因此静态电流为0，不用打算该分支的电流），Iled是动态变革的，可能会很小，因此我们只须要担保Rbias的电流Irbias>1mA足够大，那么就可以保障Ika>1mA。
当光耦的发光二极管导通时，其导通压降一样平常在1V~1.2V旁边(以下图PC817为例)。
发光二极管导通压降便是Rbias的压降，因此，Rbias两端电压范围也是1V~1.2V。以是Rbias的最小电流是：Irbias=1V/Rbias。
由前面知道，这个电流须要知足Irbias=1V/Rbias>1mA，因此Rbias<1K。虽说我这里写的是小于号，不是大于即是。不过一样平常取1K也就够了，由于首先LED的导通压降一样平常实际是要大于1V的，其余静态电流1mA本身也是有裕量的，可能由于这两个缘故原由，我们常见的Rbias也便是1K。
Rled的取值
Rled的取值是根据Ika<100mA，Iled<50mA可以得到Rled的最小值。
由图可知，TL431的电流即是Rled的电流，即Ika=Irled。下公式中，Vf为光耦发光管的压降
Ika=( Vout-Vf-Vka)/Rled
在任何情形下，我们都不能让流过TL431的电流超过100mA，否则可能就烧坏了。TL431导通时，两端电压Vka＞2.5V，Vf为1V~1.2V。同时，光耦的LED发光管电流也有上限，以PC817为例，最大许可电流为50mA。当光耦电流为50mA时，显然TL431没有超过100mA，以是终极我们担保Led的电流不超过50mA即可。
当Vka=2.5V，Vled=1V时，有最大的Ika，此时Ika(max)=(Vout-3.5V)/Rled<50mA（忽略1mA旁边Rbias电流）。如果Vout=12V，得到Rled>170，此电阻值即为Rled的最小值。
那么Rled的最大值如何求呢？
在LED流过最大电流的时候，光耦的电流也能达到最大Ic(max)，这个时候光耦要能够饱和导通。这是由于，如果我TL431已经将LED调到最大电流了，结果低级侧还无法将占空比调到目标值，那么也就失落效了。光耦ce的电流与发光管的电流Iled成正比，以是发光管的电流Iled必须要足够大，知足：
IRled(max)-IRbias>Ice(max)/CTRmin-----（1）
下面就来求Iled(max)，IRbias，Ice(max)
IRled(max):
易知，在TL431的Vka=2.5V时，电阻Rled有最大的电流，表达式为：
IRled(max)=(Vout-Vfmax-2.5V)/Rled-----（2）
Vf为光耦发光管的导通电压，范围为1~1.2V旁边
Ice (max)：
Ice(max)=(Vdd-Vcesat)/Rpullup------（3）
个中Vcesat为饱和压降。
IRbias：
IRbiasmax=Vfmax/Rbias------（4）
Vf为光耦发光管的导通电压，范围为1~1.2V旁边
根据上面的公式1~4，得到Rled的最大值为：
当Vout=12V，Vfmax=1.2V，Vdd=5V，Rpullup=4.99K，CTRmin=1，Vce(sat)=0.3V时，可求得:
Rled<3.88KΩ
至此，我们已经求得了Rled的最大值和最小值，即：170Ω<Rled<3.88K。
干系电阻是不是取值在这之间就行呢？
当然，是弗成的，以上只是考虑了最基本的条件。要知道，这些电阻值还跟功耗干系，如果电阻取值过小，那么功耗可能会高。
其余，从上一节“TL431及光耦通报函数的推导”可知， R1，Rbias，RLED，Rpullup还跟环路的通报干系。这些电阻的不同的取值，也会影响全体系统的运行。以上电阻的取值范围，只能说是系统事情的必要条件，但不是充分条件。
小结
以上便是本次的内容，大致说了下几个电阻的取值范围来源，不过须要把稳，就TL431和光耦的电路，也有几种不同的构造。
比如有的Rbias是直接拉到Vout，并不是跨接到光耦的LED两端，也有利用稳压管供应偏置的。不同的电路，自然有各自的利害势，电阻打算公式也有所差异，不过如果理解了打算过程，该当都不是问题。
以上纯属个人想法，不一定对，有问题可以留言互换。
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